Datasheet下载- 型号： FQB11N40CTM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB11N40CTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB11N40CTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB11N40CTM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB11N40CTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB11N40CTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB11N40CTM 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该型号的典型应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源 (SMPS) - FQB11N40CTM 的耐压值高达 400V，适合用于高电压环境下的开关电源设计，例如 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器等。 - 它可以作为主开关管或同步整流管，用于提高效率和降低功耗。 2. 电机驱动 - 在电机控制电路中，该 MOSFET 可用于驱动小型到中型电机，尤其是在需要高电压切换的应用中。 - 其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少能量损耗，提升系统的整体效率。 3. 逆变器 - 适用于太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器，用于将直流电转换为交流电。 - 高耐压能力和快速开关速度使其非常适合高频逆变器应用。 4. 负载开关 - 在需要高电压负载切换的场景中，FQB11N40CTM 可用作负载开关，实现对不同负载的精确控制。 - 常见于工业设备、家电和汽车电子中的电源管理模块。 5. 保护电路 - 用于过流保护、短路保护或反向电池保护等场合。 - 利用其快速响应特性和低导通损耗，确保系统在异常情况下仍能安全运行。 6. 汽车电子 - 在汽车电子领域，如启动马达控制、车载充电器、LED 照明驱动等，该 MOSFET 的高可靠性与耐高压性能表现优异。 - 符合车规级要求（具体需参考产品数据手册），可广泛应用于各类车载系统。 7. 其他工业应用 - 包括 UPS（不间断电源）、继电器替代方案、固态继电器（SSR）以及各种高压、高频功率转换设备。 总结来说，FQB11N40CTM 凭借其高耐压、低导通电阻和出色的热性能，非常适合用于高电压、高效率的功率转换和控制场景。具体应用时需结合实际需求，合理选择外围电路和散热方案以优化性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAKMOSFET 400V N-Channel Adv Q-FET C-Series |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 10.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQB11N40CTMQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQB11N40CTM |
| Pd-PowerDissipation | 135 W |
| Pd-功率耗散 | 135 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 500 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 500 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 400 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 400 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 89 ns |
| 下降时间 | 81 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1090pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 530 毫欧 @ 5.25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | FQB11N40CTMCT |
| 典型关闭延迟时间 | 81 ns |
| 功率-最大值 | 135W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 1.312 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 7.1 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10.5A （Tc） |
| 系列 | FQB11N40 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQB11N40CTM_NL |
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