【未分类_FQPF3N80CYDTU】封装/厂家_FQPF3N80CYDTU中文资料_价格

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型号： FQPF3N80CYDTU
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF3N80CYDTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF3N80CYDTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF3N80CYDTU封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FQPF3N80CYDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF3N80CYDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQPF3N80CYDTU 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该型号属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别，广泛应用于需要高效开关和功率管理的场景中。以下是其主要应用场景：

 1. 电源转换
   - FQPF3N80CYDTU 常用于 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器和开关电源（SMPS）中，作为高效的开关器件。其低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力（800V）使其适合高压环境下的电源管理。

 2. 电机驱动
   - 在工业自动化、家用电器和电动工具中，该 MOSFET 可用于驱动直流电机或步进电机。它能够承受高电压和大电流，并提供快速的开关性能。

 3. 逆变器
   - 适用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）和其他需要将直流电转换为交流电的设备。其高击穿电压和低损耗特性有助于提高逆变器的效率。

 4. 负载开关
   - 在汽车电子、消费电子产品和通信设备中，该 MOSFET 可用作负载开关，控制电路的通断状态。其快速开关速度和低导通损耗有助于减少能量损失。

 5. 继电器替代
   - 在某些应用中，FQPF3N80CYDTU 可以替代机械继电器，用于切换高电压负载。相比继电器，MOSFET 具有更长的使用寿命和更快的响应时间。

 6. 保护电路
   - 用于过流保护、短路保护和过温保护等电路中。其高可靠性和稳定性使其能够在恶劣环境下正常工作。

 7. 照明系统
   - 在 LED 照明和 HID（高强度气体放电灯）驱动器中，该 MOSFET 可用于调节电流和电压，确保灯具稳定运行。

 特性总结：
- 高耐压：800V 的击穿电压使其适用于高压环境。
- 低导通电阻：降低功耗，提高效率。
- 快速开关速度：适合高频应用。
- 高可靠性：适用于工业级和汽车级应用。

综上所述，FQPF3N80CYDTU 广泛应用于电力电子、工业控制、汽车电子和消费类电子产品中，是一款高性能的功率 MOSFET。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FQPF3N80CYDTU
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	QFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	705pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	16.5nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	4.8 欧姆 @ 1.5A，10V
供应商器件封装	TO-220F
功率-最大值	39W
包装	管件
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3 整包
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	800V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	3A （Tc）