P6SMB13AT3G产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供P6SMB13AT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 P6SMB13AT3G价格参考。ON SemiconductorP6SMB13AT3G封装/规格：TVS - 二极管， 。您可以下载P6SMB13AT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有P6SMB13AT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

P6SMB13AT3G 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），属于SMB封装的单向TVS器件，击穿电压典型值为13.3 V，最大钳位电压约21.5 V（在峰值脉冲电流Ipp=18.1 A下），功率额定值为600 W（10/1000 μs波形）。

其典型应用场景包括：  
- 电源输入端口保护：用于DC电源适配器、工业控制模块、安防设备等的输入级，抵御雷击感应浪涌、开关噪声及EFT（电快速瞬变脉冲群）。  
- 通信接口防护：适用于RS-232/485、CAN总线、USB供电线（VBUS）等低速信号/电源线的ESD（±30 kV接触放电）和浪涌防护。  
- 消费电子与汽车电子：在机顶盒、智能电视、车载信息娱乐系统（IVI）中，保护MCU、LDO、DC-DC转换器等敏感IC免受反向电压、负载突降（Load Dump）初期瞬变及静电损伤。  
- 电机驱动与继电器回路：抑制感性负载关断时产生的反向电动势尖峰，防止后级电路击穿。

该器件具备低漏电流（<1 μA @ 10.5 V）、快速响应（<1 ns）、符合AEC-Q101车规可靠性标准（P6SMB13AT3G为车规级版本），兼具高可靠性和成本效益，广泛用于需兼顾ESD、EFT与浪涌三重防护的中低功率电子系统。

P6SMB13AT3G产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供P6SMB13AT3G由AMI/ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 P6SMB13AT3G价格参考。AMI/ON SemiconductorP6SMB13AT3G封装/规格：TVS - 二极管， 。您可以下载P6SMB13AT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有P6SMB13AT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

P6SMB13AT3G 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），属于SMB封装的单向TVS器件，击穿电压典型值为13.3 V，最大钳位电压约21.5 V（在峰值脉冲电流Ipp=18.1 A下），功率额定值为600 W（10/1000 μs波形）。

其典型应用场景包括：  
- 电源输入端口保护：用于DC电源适配器、工业控制模块、安防设备等的输入级，抵御雷击感应浪涌、开关噪声及EFT（电快速瞬变脉冲群）。  
- 通信接口防护：适用于RS-232/485、CAN总线、USB供电线（VBUS）等低速信号/电源线的ESD（±30 kV接触放电）和浪涌防护。  
- 消费电子与汽车电子：在机顶盒、智能电视、车载信息娱乐系统（IVI）中，保护MCU、LDO、DC-DC转换器等敏感IC免受反向电压、负载突降（Load Dump）初期瞬变及静电损伤。  
- 电机驱动与继电器回路：抑制感性负载关断时产生的反向电动势尖峰，防止后级电路击穿。

该器件具备低漏电流（<1 μA @ 10.5 V）、快速响应（<1 ns）、符合AEC-Q101车规可靠性标准（P6SMB13AT3G为车规级版本），兼具高可靠性和成本效益，广泛用于需兼顾ESD、EFT与浪涌三重防护的中低功率电子系统。