【未分类_IRL3705ZLPBF】封装/厂家_IRL3705ZLPBF中文资料_价格

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型号： IRL3705ZLPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRL3705ZLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL3705ZLPBF价格参考。International RectifierIRL3705ZLPBF封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IRL3705ZLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRL3705ZLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IRL3705ZLPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。以下是该型号的一些典型应用场景：

 1. 电源管理
   - DC-DC转换器：用于开关模式电源（SMPS）中的功率级控制，实现高效的电压转换。
   - 负载开关：作为负载开关，控制电路中不同负载的通断，确保系统功耗优化。
   - 降压/升压转换器：在便携式设备或汽车电子中，提供稳定的电压输出。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制：适用于玩具、家用电器等场景，驱动低功率直流电机。
   - H桥电路：用于双向电机控制，支持正转和反转功能。
   - BLDC电机驱动：在无刷直流电机应用中，作为功率级的一部分，实现高效驱动。

 3. 电池管理系统（BMS）
   - 电池保护：用于锂离子电池或其他可充电电池的充放电保护电路，防止过流、短路等问题。
   - 电量监测：通过精确控制电流流动，支持电池电量的精准测量。

 4. 消费电子产品
   - 音频放大器：在低功率音频设备中，用于功率输出级，提供高保真音质。
   - LED驱动：用于驱动大功率LED灯，调节亮度并实现恒流控制。
   - USB充电端口：作为保护开关，防止过流和短路，确保设备安全。

 5. 工业自动化
   - 传感器接口：用于工业传感器信号的开关控制，实现快速响应。
   - 继电器替代：在需要高频开关的应用中，替代传统机械继电器，降低噪音和提高可靠性。

 6. 汽车电子
   - 车身控制模块（BCM）：用于车窗升降、座椅调节等功能的功率控制。
   - 照明系统：控制汽车内外部LED灯的亮灭和调光。
   - 电动助力转向（EPS）：作为功率级器件，支持转向系统的高效运行。

 7. 通信设备
   - 信号调节：在低噪声放大器或滤波器中，用于信号的开关控制。
   - 基站电源：在通信基站中，用于高效功率分配和管理。

 特点总结：
IRL3705ZLPBF具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和出色的热性能，适合需要高效功率转换和低损耗的应用场景。其封装形式和电气特性使其广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 55V 75A TO-262MOSFET MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log Lvl
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	86 A
Id-连续漏极电流	86 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRL3705ZLPBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRL3705ZLPBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	130 W
Pd-功率耗散	130 W
Qg-GateCharge	40 nC
Qg-栅极电荷	40 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	12 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	12 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	55 V
Vds-漏源极击穿电压	55 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	16 V
Vgs-栅源极击穿电压	16 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2880pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	60nC @ 5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	8 毫欧 @ 52A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-262
其它名称	*IRL3705ZLPBF
功率-最大值	130W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
封装/箱体	I2PAK-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	75A （Tc）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/saber/irl3705z_s_l.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irl3705z_s_l.spi