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产品简介:
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Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为 IRFR3303TRPBF 的晶体管属于 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单N沟道功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效能、高电流与低导通电阻的场景。 典型应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等,适用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块。 2. 电机控制:用于电动工具、无人机、机器人和工业自动化设备中的直流电机驱动电路。 3. 电池管理系统(BMS):在电动车、储能系统和便携式设备中,用于电池充放电控制与保护电路。 4. 照明系统:如LED驱动器和高亮度照明控制电路,尤其适用于需要调光和高效能转换的场合。 5. 汽车电子:如车载充电器、车身控制模块、电动助力转向系统等,满足汽车工业对可靠性和效率的高要求。 该MOSFET具有低导通电阻(Rds(on))、高电流承载能力和优良的热性能,适合高频开关应用,有助于提升系统效率并减小电路体积。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 33A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRFR3303TRPBF |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 750pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 31 毫欧 @ 18A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | IRFR3303PBFDKR |
功率-最大值 | 57W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 33A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr3303.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr3303.spi |