ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > MUN5214T1G
Datasheet下载- 型号： MUN5214T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5214T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5214T1G价格参考。ON SemiconductorMUN5214T1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)。您可以下载MUN5214T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5214T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5214T1G 是由 ON Semiconductor 生产的预偏置双极晶体管（BJT），属于单晶体管类型。这种晶体管广泛应用于需要精确电流控制和信号放大的场合，具有良好的稳定性和可靠性。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 MUN5214T1G 可用于电源管理电路中，特别是在开关电源、线性稳压器等应用中。它能够提供稳定的电流输出，确保电压调节的准确性。预偏置特性使得该晶体管在启动时能够快速进入工作状态，减少启动时间，提高系统的响应速度。 2. 音频放大器 在音频设备中，MUN5214T1G 可作为音频信号的放大元件。由于其低噪声特性和高增益，适合用于前置放大器或功率放大器中的驱动级。预偏置设计有助于减少失真，提升音质表现。 3. 工业自动化 在工业控制系统中，MUN5214T1G 可用于驱动继电器、电磁阀等执行机构。它能够承受较高的电流冲击，并且通过预偏置功能，确保在不同温度和负载条件下保持稳定的性能，延长设备寿命。 4. 通信设备 在通信领域，MUN5214T1G 可用于射频（RF）信号的放大和调制。其高频特性使其适用于无线通信模块中的信号处理部分，尤其是在需要高效能和低功耗的应用中。 5. 汽车电子 在汽车电子系统中，MUN5214T1G 可用于各种传感器信号的放大和处理，如温度传感器、压力传感器等。预偏置功能有助于提高传感器的响应速度和精度，确保车辆运行的安全性和稳定性。 6. 消费电子产品 在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑等，MUN5214T1G 可用于电池管理、背光驱动等场景。它的低功耗和高效率特性有助于延长设备的续航时间。 总的来说，MUN5214T1G 凭借其预偏置设计和优良的电气特性，在多个领域有着广泛的应用前景，特别是在需要高精度电流控制和信号放大的场合表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MUN5214T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MUN5214T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
| 其它名称 | MUN5214T1GOSDKR |
| 典型电阻器比率 | 0.21 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 202mW |
| 功率耗散 | 202 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 系列 | MUN5214 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | - |
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