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FDS6690AS产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS6690AS由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS6690AS价格参考¥2.05-¥2.05。Fairchild SemiconductorFDS6690AS封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 30V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC。您可以下载FDS6690AS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDS6690AS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS6690AS是ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款N沟道MOSFET,属于单MOSFET器件,广泛应用于中小功率电源管理与开关控制场景。该器件采用先进的沟槽技术制造,具有低导通电阻(RDS(on))、高开关速度和良好的热稳定性,适合高效率、小体积的电源设计。 其典型应用场景包括:便携式电子设备(如智能手机、平板电脑)中的电源开关与负载管理;电池供电系统中的充放电控制与保护电路;DC-DC转换器(如降压Buck转换器)中的同步整流开关;以及各类电源管理模块中的高效开关元件。此外,FDS6690AS也常用于电机驱动、LED驱动电源、USB充电接口的过流保护与电源切换等场合。 由于其封装小巧(通常为PowerPAK SO-8或类似封装),有利于节省PCB空间,适用于对尺寸敏感的消费类电子产品。同时,该MOSFET具备良好的栅极耐压能力,提高了系统可靠性。综合来看,FDS6690AS是一款高性能、高性价比的开关器件,特别适用于需要高效率、快速响应和紧凑布局的中低电压电源系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 10A 8SOICMOSFET 30V NCH POWER TRENCH SYNCFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS6690ASPowerTrench®, SyncFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDS6690AS |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 10 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 910pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 12 毫欧 @ 10A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | FDS6690ASDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 45 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A (Ta) |
| 系列 | FDS6690 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 零件号别名 | FDS6690AS_NL |