【未分类_IRF9Z24NPBF】封装/厂家_IRF9Z24NPBF中文资料_价格

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型号： IRF9Z24NPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9Z24NPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9Z24NPBF价格参考￥2.78-￥2.92。International RectifierIRF9Z24NPBF封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IRF9Z24NPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF9Z24NPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRF9Z24NPBF 是由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。其主要应用场景包括：

1. 电源管理：  
   IRF9Z24NPBF 常用于开关电源、DC-DC 转换器和电压调节模块中。由于其低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压（Vds = 100V），能够高效地控制电流的开关，从而实现稳定的电源输出。

2. 负载切换：  
   在需要频繁开启或关闭负载的电路中，例如汽车电子系统中的继电器替代、LED 驱动或电机控制，这款 MOSFET 可以快速且可靠地进行负载切换。

3. 电池管理：  
   该型号适用于电池保护电路，例如防止过流、短路或反向电流。在便携式设备（如笔记本电脑、平板电脑和智能手机）中，它可用于优化电池寿命和安全性。

4. 电机驱动：  
   IRF9Z24NPBF 可用于小型直流电机的驱动和控制，尤其是在需要低功耗和高效率的应用中，例如风扇、泵或玩具电机。

5. 逆变器和太阳能系统：  
   在小型逆变器或太阳能充电控制器中，这款 MOSFET 可用作开关元件，帮助将直流电转换为交流电或调节充电电流。

6. 信号放大与缓冲：  
   在一些需要信号放大的场景中，IRF9Z24NPBF 可作为缓冲器使用，确保信号传输的稳定性和完整性。

7. 工业自动化：  
   在工业控制系统中，这款 MOSFET 可用于驱动传感器、执行器或其他外围设备，提供可靠的开关功能。

总结来说，IRF9Z24NPBF 的高耐压能力、较低的导通电阻以及出色的开关性能，使其成为多种电子设备和系统中的理想选择，特别是在需要高效功率转换和控制的场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET P-CH 55V 12A TO-220ABMOSFET MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	- 12 A
Id-连续漏极电流	- 12 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF9Z24NPBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRF9Z24NPBF
Pd-PowerDissipation	45 W
Pd-功率耗散	45 W
Qg-GateCharge	12.7 nC
Qg-栅极电荷	12.7 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	175 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	175 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	- 55 V
Vds-漏源极击穿电压	- 55 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	- 4 V
Vgsth-栅源极阈值电压	- 4 V
上升时间	55 ns
下降时间	37 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	350pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	19nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	175 毫欧 @ 7.2A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220AB
其它名称	*IRF9Z24NPBF
典型关闭延迟时间	23 ns
功率-最大值	45W
功率耗散	45 W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
导通电阻	175 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
栅极电荷Qg	12.7 nC
标准包装	50
正向跨导-最小值	2.5 S
汲极/源极击穿电压	- 55 V
漏极连续电流	- 12 A
漏源极电压(Vdss)	55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	12A （Tc）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf9z24n.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf9z24n.spi
配置	Single
闸/源击穿电压	20 V