【晶体管 - FET，MOSFET - 单_STB25NM60ND】封装/厂家_STB25NM60ND中文资料_价格

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型号： STB25NM60ND
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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STB25NM60ND产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STB25NM60ND由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB25NM60ND价格参考￥31.99-￥31.99。STMicroelectronicsSTB25NM60ND封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 600V 21A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK。您可以下载STB25NM60ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB25NM60ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 600V 21A D2PAKMOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	21 A
Id-连续漏极电流	21 A
品牌	STMicroelectronics
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB25NM60NDFDmesh™ II
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	STB25NM60ND
Pd-PowerDissipation	160 W
Pd-功率耗散	160 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	160 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	160 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	600 V
Vds-漏源极击穿电压	600 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 25 V
Vgs-栅源极击穿电压	25 V
上升时间	30 ns
下降时间	40 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2400pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	80nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	160 毫欧 @ 10.5A，10V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	D2PAK
其它名称	497-8473-2
其它有关文件	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF202750?referrer=70071840
典型关闭延迟时间	50 ns
功率-最大值	160W
包装	带卷（TR）
商标	STMicroelectronics
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
封装/箱体	D2PAK-2
工厂包装数量	1000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1,000
漏源极电压(Vdss)	600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	21A （Tc）
系列	STB25NM60ND
通道模式	Enhancement
配置	Single