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STW12NK90Z产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STW12NK90Z由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW12NK90Z价格参考¥22.70-¥24.06。STMicroelectronicsSTW12NK90Z封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 900V 11A(Tc) 230W(Tc) TO-247-3。您可以下载STW12NK90Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STW12NK90Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STW12NK90Z是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效、低损耗开关性能的电路中。该器件具有90V的漏源极击穿电压(VDS),最大导通电阻为8.5mΩ(典型值),适用于多种工业和消费类电子设备。 应用场景: 1. 电源管理: - STW12NK90Z常用于开关电源(SMPS)中的同步整流器,能够有效降低导通损耗,提高电源转换效率。 - 在DC-DC转换器中,作为主开关或同步整流管,帮助实现高效的电压转换。 2. 电机驱动: - 适用于小型电机驱动器,如步进电机、无刷直流电机(BLDC)等,提供快速响应和低功耗的开关控制。 - 在电动工具、家用电器(如吸尘器、风扇等)中,该MOSFET可以用于电机的速度控制和方向切换。 3. 负载开关: - 在便携式电子设备中,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑,STW12NK90Z可用作负载开关,实现对不同模块的供电控制,减少待机功耗。 - 在汽车电子系统中,用于控制各种传感器、执行器和其他负载的电源供应。 4. 电池管理系统(BMS): - 在电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)以及储能系统中,该MOSFET可用于电池组的充放电保护电路,确保电池的安全运行。 - 充电控制器中,作为主开关元件,实现精确的电流控制和过流保护。 5. 通信设备: - 在基站、路由器等通信设备中,STW12NK90Z可用于电源模块中的功率调节,确保稳定的电压输出,同时减少发热和能量损失。 6. LED驱动: - 在大功率LED照明系统中,作为调光控制器或恒流源的关键组件,确保LED灯的亮度稳定,并延长其使用寿命。 7. 工业自动化: - 在PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器等工业控制系统中,该MOSFET可用于信号隔离和功率放大,确保系统的可靠性和稳定性。 总之,STW12NK90Z凭借其优异的电气特性,适用于多种需要高效、可靠开关操作的应用场合,特别是在电力电子领域表现出色。
| 参数 | 数值 | 
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement | 
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 11A TO-247MOSFET N-Ch 900 Volt 11 Amp Zener SuperMESH | 
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 | 
| FET功能 | 标准 | 
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 | 
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A | 
| Id-连续漏极电流 | 11 A | 
| 品牌 | STMicroelectronics | 
| 产品手册 | |
| 产品图片 | 
 | 
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | 
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW12NK90ZSuperMESH™ | 
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STW12NK90Z | 
| Pd-PowerDissipation | 230 W | 
| Pd-功率耗散 | 230 W | 
| Qg-GateCharge | 113 nC | 
| Qg-栅极电荷 | 113 nC | 
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 880 mOhms | 
| RdsOn-漏源导通电阻 | 880 mOhms | 
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 900 V | 
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V | 
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V | 
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V | 
| 上升时间 | 20 ns | 
| 下降时间 | 55 ns | 
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 100µA | 
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3500pF @ 25V | 
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 152nC @ 10V | 
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 880 毫欧 @ 5.5A,10V | 
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET | 
| 供应商器件封装 | TO-247-3 | 
| 其它名称 | 497-4421-5 | 
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF67502?referrer=70071840 | 
| 典型关闭延迟时间 | 88 ns | 
| 功率-最大值 | 230W | 
| 包装 | 管件 | 
| 商标 | STMicroelectronics | 
| 安装类型 | 通孔 | 
| 安装风格 | Through Hole | 
| 封装 | Tube | 
| 封装/外壳 | TO-247-3 | 
| 封装/箱体 | TO-247-3 | 
| 工厂包装数量 | 600 | 
| 晶体管极性 | N-Channel | 
| 最大工作温度 | + 150 C | 
| 最小工作温度 | - 55 C | 
| 标准包装 | 30 | 
| 漏源极电压(Vdss) | 900V | 
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Tc) | 
| 系列 | STW12NK90Z | 
| 通道模式 | Enhancement | 
| 配置 | Single | 
 
                             
                                        
                                     
                                        
                                     
                                        
                                     
                                        
                                     
                                        
                                     
                                
                             
                                
                             
                                
                             
                                
                            