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Datasheet下载- 型号： NDT2955
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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NDT2955产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NDT2955由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDT2955价格参考￥询价-￥询价。Fairchild SemiconductorNDT2955封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， P-Channel 60V 2.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4。您可以下载NDT2955参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NDT2955 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NDT2955是一款P沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管器件。该器件广泛应用于低电压、中等电流的开关场景，因其具备低导通电阻（RDS(on)）、高效率和良好的热稳定性而受到青睐。 NDT2955典型的应用场景包括： 1. 电源管理电路：常用于电池供电设备中的电源开关，如便携式电子产品（智能手机、平板电脑、移动电源等），实现对负载的通断控制，降低静态功耗。 2. 极性反接保护：在直流电源输入端，利用其P沟道特性构建防反接电路，防止因电源正负极接反而损坏后级电路。 3. 电机驱动与继电器驱动电路：作为低端或高端开关，控制小功率电机或继电器的启停，适用于家用电器和工业控制模块。 4. DC-DC转换器：在同步整流或电压反相电路中作为开关元件，提高转换效率。 5. LED驱动与照明控制：用于调节LED通断或亮度控制，尤其适用于低电压照明系统。 NDT2955采用SOT-23小型封装，适合空间受限的高密度PCB设计，工作温度范围宽（-55°C至+150°C），可靠性高，适用于消费电子、工业控制、汽车电子（非动力系统）等多种领域。其无需额外驱动电路即可由逻辑电平直接控制，简化了设计复杂度，是中小功率开关应用中的优选器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4MOSFET SOT-223 P-CH ENHANCE |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor NDT2955- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NDT2955 |
| Pd-PowerDissipation | 3 W |
| Pd-功率耗散 | 3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 95 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 95 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 601pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 300 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=6736 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223-3 |
| 其它名称 | NDT2955CT |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 250.200 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 5.5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.5A （Ta） |
| 系列 | NDT2955 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 零件号别名 | NDT2955_NL |
