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NDT2955产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NDT2955由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDT2955价格参考¥询价-¥询价。Fairchild SemiconductorNDT2955封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, P-Channel 60V 2.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4。您可以下载NDT2955参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NDT2955 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的NDT2955是一款P沟道增强型MOSFET,属于晶体管中的MOSFET单管器件。该器件广泛应用于低电压、中等电流的开关场景,因其具备低导通电阻(RDS(on))、高效率和良好的热稳定性而受到青睐。 NDT2955典型的应用场景包括: 1. 电源管理电路:常用于电池供电设备中的电源开关,如便携式电子产品(智能手机、平板电脑、移动电源等),实现对负载的通断控制,降低静态功耗。 2. 极性反接保护:在直流电源输入端,利用其P沟道特性构建防反接电路,防止因电源正负极接反而损坏后级电路。 3. 电机驱动与继电器驱动电路:作为低端或高端开关,控制小功率电机或继电器的启停,适用于家用电器和工业控制模块。 4. DC-DC转换器:在同步整流或电压反相电路中作为开关元件,提高转换效率。 5. LED驱动与照明控制:用于调节LED通断或亮度控制,尤其适用于低电压照明系统。 NDT2955采用SOT-23小型封装,适合空间受限的高密度PCB设计,工作温度范围宽(-55°C至+150°C),可靠性高,适用于消费电子、工业控制、汽车电子(非动力系统)等多种领域。其无需额外驱动电路即可由逻辑电平直接控制,简化了设计复杂度,是中小功率开关应用中的优选器件。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4MOSFET SOT-223 P-CH ENHANCE |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor NDT2955- |
数据手册 | |
产品型号 | NDT2955 |
Pd-PowerDissipation | 3 W |
Pd-功率耗散 | 3 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 95 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 95 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 10 ns |
下降时间 | 6 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 601pF @ 30V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 300 毫欧 @ 2.5A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=6736 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-223-3 |
其它名称 | NDT2955CT |
典型关闭延迟时间 | 19 ns |
功率-最大值 | 1.1W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 250.200 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223-3 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 5.5 S |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.5A (Ta) |
系列 | NDT2955 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Dual Drain |
零件号别名 | NDT2955_NL |