Datasheet下载- 型号： IRF8252PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF8252PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF8252PBF价格参考。International RectifierIRF8252PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF8252PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF8252PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRF8252PBF的MOSFET，属于功率MOSFET器件，常用于需要高效能和高可靠性的电源管理与功率转换应用中。以下是其典型应用场景： 1. 电源供应器（PSU）：IRF8252PBF适用于开关电源、DC-DC转换器和AC-DC电源模块，用于提高转换效率并减少能量损耗。 2. 电机控制：在电机驱动器和电动工具中，该MOSFET可用于控制电机的速度和方向，适合中高功率电机应用。 3. 电池管理系统（BMS）：应用于电池充放电控制电路中，提供高效的功率开关功能，保护电池系统免受过流或短路损坏。 4. 工业自动化设备：如PLC、伺服驱动器和工业电源模块，作为关键的功率开关元件。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、车身控制模块或辅助电机控制，满足汽车应用中对可靠性和耐用性的高要求。 6. 消费类电子产品：如高功率LED照明、智能家电中的功率控制模块。 该器件具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合高频、高效功率转换设计，广泛应用于各类中高功率电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 25A SO-8MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 2.7mOhms 35nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 25 A |
| Id-连续漏极电流 | 25 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF8252PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF8252PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 35 nC |
| Qg-栅极电荷 | 35 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.35 V to 2.35 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.35 V to 2.35 V |
| 上升时间 | 32 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5305pF @ 13V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 53nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.7 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 95 |
| 正向跨导-最小值 | 89 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 25A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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