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  • 型号: DMG6602SVT-7
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMG6602SVT-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG6602SVT-7价格参考¥0.43-¥0.54。Diodes Inc.DMG6602SVT-7封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V 3.4A,2.8A 840mW 表面贴装 TSOT-23-6。您可以下载DMG6602SVT-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMG6602SVT-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

3.4 A

Id-连续漏极电流

3.4 A, 2.8 A

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMG6602SVT-7-

数据手册

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产品型号

DMG6602SVT-7

Pd-PowerDissipation

0.84 W

Pd-功率耗散

840 mW

Qg-GateCharge

9 nC

Qg-栅极电荷

9 nC

RdsOn-漏源导通电阻

100 mOhms, 140 mOhms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V, 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

5 ns

下降时间

3 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

400pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

13nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

60 毫欧 @ 3.1A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TSOT-23-6

其它名称

DMG6602SVT-7DIDKR

典型关闭延迟时间

13 ns

功率-最大值

840mW

包装

Digi-Reel®

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

封装/箱体

TSOT-26-6

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

4 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.4A,2.8A

系列

DMG6602S

通道模式

Enhancement

配置

Dual

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