ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > DMG6602SVT-7
Datasheet下载- 型号： DMG6602SVT-7
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMG6602SVT-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG6602SVT-7价格参考￥0.43-￥0.54。Diodes Inc.DMG6602SVT-7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V 3.4A，2.8A 840mW 表面贴装 TSOT-23-6。您可以下载DMG6602SVT-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMG6602SVT-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMG6602SVT-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款双N沟道MOSFET阵列，属于晶体管-FET类别，采用SOT-363（SC-88）小型封装，适用于空间受限的便携式电子设备。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、低阈值电压和高开关效率，适合用于电源管理与信号切换应用。 典型应用场景包括： 1. 便携式电子产品：广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，用于电池电源开关、负载开关或电源路径管理。 2. DC-DC转换器：在同步整流或Buck/Boost拓扑结构中作为高效开关元件，提升电源转换效率。 3. 电平转换电路：用于I²C、GPIO等数字信号线的双向电平转换，实现不同电压域间的通信兼容。 4. 电机驱动与LED驱动：适用于微型电机控制或LED背光驱动中的低功率开关控制。 5. 热插拔与电源开关控制：在USB接口、SD卡槽等需要安全上电/断电的场景中，作为控制开关防止浪涌电流。 其小尺寸封装和高集成度（双MOSFET一体设计）有助于减少PCB面积，提高系统可靠性，特别适合高密度、低功耗的现代电子设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.4 A, 2.8 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMG6602SVT-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMG6602SVT-7 |
| Pd-PowerDissipation | 0.84 W |
| Pd-功率耗散 | 840 mW |
| Qg-GateCharge | 9 nC |
| Qg-栅极电荷 | 9 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms, 140 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V, 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 400pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 3.1A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TSOT-23-6 |
| 其它名称 | DMG6602SVT-7DIDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns |
| 功率-最大值 | 840mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | TSOT-26-6 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 4 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.4A，2.8A |
| 系列 | DMG6602S |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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