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IRF9630STRLPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9630STRLPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9630STRLPBF价格参考。VishayIRF9630STRLPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 200V 6.5A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK。您可以下载IRF9630STRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF9630STRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRF9630STRLPBF是一款单通道N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于多种电力电子设备中。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源:IRF9630STRLPBF常用于开关模式电源(SMPS)的设计中,作为功率开关元件。它能够高效地控制电流的通断,帮助实现电压转换和稳压功能,适用于笔记本电脑适配器、手机充电器等便携式电子设备的电源管理。 2. 电机驱动:在小型直流电机或步进电机的驱动电路中,该MOSFET可以用来精确控制电机的速度和方向。例如,在电动工具、家用电器(如风扇、水泵)以及自动化控制系统中的电机驱动部分,它能提供快速响应和高效率的电流切换。 3. 负载切换与保护:用于电池管理系统(BMS)或其他需要对负载进行动态控制的应用场合。通过控制MOSFET的导通状态,可以实现对不同负载的有效管理和过流保护,确保系统安全运行。 4. 音频放大器:在一些低噪声、高保真度的音频放大器设计中,IRF9630STRLPBF可用作输出级的开关器件,以减少失真并提高音质表现。 5. 逆变器和太阳能系统:在光伏逆变器和其他可再生能源转换系统中,这款MOSFET有助于将直流电转换为交流电,从而为电网供电或驱动其他电气负载。 总之,IRF9630STRLPBF凭借其低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性等特点,在众多涉及电力转换和控制的应用领域中发挥着重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAKMOSFET P-Chan 200V 6.5 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF9630STRLPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF9630STRLPBFIRF9630STRLPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3 W |
| Pd-功率耗散 | 3 W |
| Qg-GateCharge | 29 nC |
| Qg-栅极电荷 | 29 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 800 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 800 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 2 V to - 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 2 V to - 4 V |
| 上升时间 | 27 ns |
| 下降时间 | 24 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 800 毫欧 @ 3.9A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | IRF9630STRLPBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 28 ns |
| 功率-最大值 | 3W |
| 功率耗散 | 3 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 800 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 29 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 2.8 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 200 V |
| 漏极连续电流 | 6.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.5A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |