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  • 型号: BS250FTA
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BS250FTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BS250FTA价格参考。Diodes Inc.BS250FTA封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 45V 90mA(Ta) 330mW(Ta) SOT-23-3。您可以下载BS250FTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BS250FTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 45V 90MA SOT23-3MOSFET P-Chnl 45V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 90 mA

Id-连续漏极电流

- 90 mA

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated BS250FTA-

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产品型号

BS250FTA

Pd-PowerDissipation

330 mW

Pd-功率耗散

330 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

9 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

9 Ohms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 45 V

Vds-漏源极击穿电压

- 45 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

10 ns

下降时间

10 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

25pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

14 欧姆 @ 200mA,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-23-3

其它名称

BS250FDKR

其它图纸

典型关闭延迟时间

10 ns

功率-最大值

330mW

包装

Digi-Reel®

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

45V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

90mA (Ta)

系列

BS250F

通道模式

Enhancement

配置

Single

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