ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > DMN55D0UT-7
Datasheet下载- 型号： DMN55D0UT-7
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN55D0UT-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN55D0UT-7价格参考￥0.28-￥0.28。Diodes Inc.DMN55D0UT-7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 50V 160mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-523。您可以下载DMN55D0UT-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN55D0UT-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN55D0UT-7是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电子设备中。其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理：该MOSFET适用于电源管理系统中的开关应用，如DC-DC转换器、线性稳压器和负载开关等。它能够高效地控制电流流动，确保电路在不同工作状态下稳定运行。 2. 消费电子产品：在智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备中，DMN55D0UT-7可用于电池充电管理、背光驱动和音频放大器等模块，以实现高效的电源管理和信号传输。 3. 工业控制：在工业自动化领域，这款MOSFET可以用于电机驱动、继电器控制和传感器接口等场合。它能够承受较高的电压和电流，确保设备在恶劣环境下可靠工作。 4. 汽车电子：在汽车电子系统中，DMN55D0UT-7可用于车身控制系统、娱乐系统和辅助驾驶系统中的电源分配和信号处理。它具有良好的抗干扰能力和稳定性，适合车载环境使用。 5. 通信设备：在通信基站、路由器和交换机等网络设备中，该MOSFET可用于电源调节和信号隔离，确保数据传输的稳定性和可靠性。 6. 物联网（IoT）设备：在智能家居、智能穿戴和传感器节点等IoT设备中，DMN55D0UT-7可用于低功耗设计，延长电池寿命并提高能效。 7. LED照明：在LED灯具和显示屏中，该MOSFET可用于驱动电路，提供精确的电流控制，确保LED的亮度和色彩一致性。 总之，DMN55D0UT-7凭借其低导通电阻、快速开关特性和高可靠性，成为多种应用的理想选择，特别是在需要高效电源管理和信号处理的场景中表现尤为出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523MOSFET .2W 50V .16A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 160 mA |
| Id-连续漏极电流 | 160 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN55D0UT-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN55D0UT-7 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 200 mW |
| Pd-功率耗散 | 200 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4000 mOhms at 4 V |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 50 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 50 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 25pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4 欧姆 @ 100mA，4V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-523 |
| 其它名称 | DMN55D0UT7 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-523 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 160mA （Ta） |
| 系列 | DMN55D |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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