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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP18N20V2由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP18N20V2价格参考。Fairchild SemiconductorFQP18N20V2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQP18N20V2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP18N20V2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP18N20V2是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和功率转换应用。其主要应用场景包括: 1. 电源适配器与充电器:适用于笔记本电脑、手机等电子设备的开关电源中,作为高效能开关元件使用。 2. DC-DC转换器:在各类电子设备中用于电压转换,如车载电源系统、工业控制设备等。 3. 电机驱动电路:可用于直流电机或步进电机的驱动控制,常见于电动工具、自动化设备中。 4. 负载开关与电源管理:在需要控制大电流负载的场合,如LED照明、电池供电系统中作为开关使用。 5. 逆变器与UPS系统:在不间断电源和逆变器中用于实现直流到交流的电能转换。 该MOSFET具有低导通电阻、高耐压(200V)和较强电流承载能力(18A),适合中高功率应用,且封装形式便于散热设计,适用于多种工业与消费类电子产品。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQP18N20V2 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1080pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 140 毫欧 @ 9A,10V |
供应商器件封装 | TO-220 |
功率-最大值 | 123W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18A (Tc) |