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ULN2003AIPWR产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ULN2003AIPWR由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ULN2003AIPWR价格参考。Texas InstrumentsULN2003AIPWR封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 16-TSSOP。您可以下载ULN2003AIPWR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ULN2003AIPWR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ULN2003AIPWR是德州仪器(Texas Instruments)推出的一款高电压、高电流达林顿晶体管阵列芯片,属于双极性晶体管(BJT)阵列类别。该器件内部集成了7个NPN达林顿对管,每个通道均可承受高达500mA的集电极电流和50V的峰值电压,具备较强的负载驱动能力。 ULN2003AIPWR广泛应用于需要小信号控制器驱动大功率负载的场景。典型应用包括驱动继电器、步进电机或直流电机的控制电路,尤其常见于打印机、复印机、数控设备和工业自动化系统中。由于其输入端兼容TTL和5V CMOS电平,可直接与微控制器、FPGA或逻辑电路接口,无需额外电平转换,简化了设计。 此外,该芯片内置续流二极管,适用于感性负载(如继电器、电机线圈),能有效抑制反向电动势,提高系统可靠性。其采用TSSOP-16封装,体积小,适合高密度PCB布局,常用于空间受限的消费电子和工业控制模块。 总之,ULN2003AIPWR凭借高集成度、高可靠性和易用性,广泛应用于家电控制、工业驱动、汽车电子、办公设备等领域,是连接低压控制电路与高压执行部件的理想接口器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS 7 NPN DARL 50V 500MA TSSOP达林顿晶体管 Hi Vltg HiCrrnt Darl Transistor Array |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,Texas Instruments ULN2003AIPWR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ULN2003AIPWR |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1.6V @ 500µA, 350mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | - |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | |
| 供应商器件封装 | 16-TSSOP |
| 其它名称 | 296-17785-2 |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 单位重量 | 62 mg |
| 商标 | Texas Instruments |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
| 封装/箱体 | TSSOP-16 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 7 NPN 达林顿 |
| 最大工作温度 | + 105 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 系列 | ULN2003AI |
| 配置 | Array 7 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 频率-跃迁 | - |