Datasheet下载- 型号： PBSS4112PANP,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4112PANP,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4112PANP,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4112PANP,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBSS4112PANP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS4112PANP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的型号为 PBSS4112PANP,115 的晶体管属于双极型晶体管 (BJT) 阵列类别。这类器件广泛应用于各种电子电路中，主要用于信号放大、开关控制和功率管理等场景。以下是该型号可能的应用场景： 1. 信号放大 - 用于音频设备中的小信号放大，例如耳机放大器或麦克风前置放大器。 - 在通信设备中作为射频 (RF) 或中频 (IF) 放大器的一部分。 2. 开关控制 - 用于驱动继电器、LED 或小型电机等负载。 - 在电源管理模块中作为开关元件，控制电流的通断。 3. 功率管理 - 在低压差线性稳压器 (LDO) 中作为输出晶体管。 - 用于电池管理系统 (BMS) 中的电流调节和保护功能。 4. 汽车电子 - 应用于车载电子系统中，如车灯控制、雨刷器电机驱动和座椅加热控制。 - 在发动机控制单元 (ECU) 中用作信号处理和驱动元件。 5. 消费类电子产品 - 用于家用电器（如冰箱、洗衣机）中的温度传感器信号放大和控制。 - 在遥控器、玩具和其他低功耗设备中作为开关或驱动元件。 6. 工业自动化 - 在可编程逻辑控制器 (PLC) 中用于输入/输出信号的放大和隔离。 - 用于传感器信号调理和数据采集系统。 7. 医疗设备 - 在便携式医疗设备（如血压计、血糖仪）中用作信号放大器。 - 在监护仪器中用于低功耗信号处理。 PBSS4112PANP,115 的具体应用场景取决于其电气参数（如电流、电压和频率范围）以及封装形式。由于 Nexperia 的产品通常以高可靠性和紧凑封装著称，这款 BJT 阵列特别适合需要多路独立控制或放大的应用场合。在实际设计中，应根据具体的电路需求选择合适的偏置条件和外围电路以实现最佳性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 120V 1A 6HUSON两极晶体管 - BJT 120V 1A NPN/NPN lo VCEsat transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4112PANP,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS4112PANP,115 |
| PCN封装 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 120mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 500mA， 2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-HUSON（2X2） |
| 其它名称 | 568-10196-6 |
| 功率-最大值 | 510mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 120 MHz, 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN2020-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 最大功率耗散 | 1450 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/nxp-semiconductors-double-transistors-dfn2020-6/3762 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 120V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 305, 375 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 240, 190 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 120 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 120 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 90 mV, - 150 mV |
| 集电极连续电流 | 1 A |
| 频率-跃迁 | 120MHz |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
