ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI4688DY-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI4688DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4688DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4688DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4688DY-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 8.9A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SO。您可以下载SI4688DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4688DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4688DY-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，其主要应用场景包括以下几个方面： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：该 MOSFET 具有低导通电阻（Rds(on)），适合用于高效能的 DC-DC 转换电路，例如降压或升压转换器。 - 负载开关：在便携式设备中，用作负载开关以实现快速开启/关闭和低功耗运行。 - 电池管理系统 (BMS)：用于保护电池免受过流、短路等异常情况的影响。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：适用于消费电子设备中的小型直流电机驱动，例如风扇、泵或玩具电机。 - H 桥电路：作为 H 桥的一部分，用于双向电机控制。 3. 信号切换 - 高速信号切换：由于其快速开关特性，可用于高频信号切换应用。 - 音频信号切换：在音频设备中，用作信号路径的切换元件。 4. 保护电路 - 过流保护：利用其低导通电阻和高电流承载能力，设计过流保护电路。 - 反向电压保护：防止电源极性接反导致的损坏。 5. 便携式设备 - 智能手机和平板电脑：用于充电管理和内部电源分配。 - 可穿戴设备：因其小尺寸和低功耗特性，非常适合空间受限的应用。 6. 通信设备 - 网络路由器和交换机：用于电源管理和信号切换。 - 基站设备：在功率放大器和电源模块中提供高效的开关性能。 特点支持： - 低 Rds(on)：减少导通损耗，提高效率。 - 高电流能力：支持高达 10A 的连续电流。 - 紧凑封装：采用 DPAK 封装，节省 PCB 空间。 - 高开关速度：适合高频应用。 综上所述，SI4688DY-T1-GE3 广泛应用于需要高效能、低功耗和紧凑设计的场景，尤其是在消费电子、工业控制和通信领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4688DY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1580pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 12A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4688DY-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.9A （Ta） |
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