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MJD122T4G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJD122T4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD122T4G价格参考¥询价-¥询价。ON SemiconductorMJD122T4G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 4MHz 1.75W Surface Mount DPAK。您可以下载MJD122T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJD122T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor 的 MJD122T4G 是一款 NPN 型双极结型晶体管(BJT),属于功率放大和开关应用的通用器件。该型号具有较高的电流承载能力(最高集电极电流达 1A)和耐压特性(VCEO 达 30V),适用于中等功率场景。 MJD122T4G 常用于电源管理电路、DC-DC 转换器中的开关元件、继电器或电机驱动电路中的控制开关,以及各类消费类电子设备中的信号放大与开关功能。由于其采用 SOT-223 小型化封装,具备良好的散热性能,适合空间受限但需要一定功率处理能力的应用。 此外,该器件广泛应用于家电控制板、工业自动化模块、照明控制系统以及电源适配器等产品中,作为低频放大或高速开关使用。其无铅、绿色环保的设计也符合现代电子产品对环保法规(如 RoHS)的要求。 总体而言,MJD122T4G 凭借可靠的性能和稳定的参数,在工业控制、消费电子和电源系统中具有广泛的应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS DARL NPN 8A 100V DPAK达林顿晶体管 8A 100V Bipolar Power NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor MJD122T4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJD122T4G |
| PCN组件/产地 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 4V @ 80mA,8A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 1000 @ 4A,4V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 达林顿晶体管 |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | MJD122T4GOSDKR |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 功率耗散 | 20 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | TO-252-3 (DPAK) |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 8 A |
| 最大集电极截止电流 | 10 uA |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 100V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 8A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 10µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100, 1000 |
| 系列 | MJD122 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 100 V |
| 集电极连续电流 | 8 A |
| 频率-跃迁 | 4MHz |