ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > 2SC4213BTE85LF
Datasheet下载- 型号： 2SC4213BTE85LF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC4213BTE85LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC4213BTE85LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SC4213BTE85LF封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 20V 300mA 30MHz 100mW 表面贴装 USM。您可以下载2SC4213BTE85LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SC4213BTE85LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage推出的2SC4213BTE85LF是一款NPN型双极结型晶体管（BJT），属于小信号晶体管类别，广泛应用于各类电子设备中。该器件采用紧凑的表面贴装封装（如S-Mini或类似小型封装），具有良好的高频响应和低噪声特性，适合在高密度电路板设计中使用。 其主要应用场景包括： 1. 音频放大电路：由于具备优良的线性特性和低失真表现，常用于前置放大器、音频信号处理模块等消费类电子产品中。 2. 开关电路：可作为高速开关元件，应用于电源管理、LED驱动、继电器控制等场景，实现对负载的精确通断控制。 3. 射频与高频信号处理：适用于无线通信设备中的小信号放大，如FM收音模块、无线传感器节点等。 4. 便携式电子设备：因其小型化封装和低功耗特性，被广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等空间受限的产品中，用于信号切换或驱动功能。 5. 工业控制与家用电器：在微控制器外围接口电路中用作电平转换或驱动晶体管，例如风扇控制、电机驱动缓冲级等。 2SC4213BTE85LF符合环保标准（如无铅、符合RoHS指令），可靠性高，适合自动化贴片生产，是现代电子系统中理想的通用放大与开关元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 20V 0.3A USM两极晶体管 - BJT NPN 0.3A IC 20V Gen Purp Trans |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/lookup.jsp?pid=2SC4213&lang=en |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Toshiba 2SC4213BTE85LF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SC4213BTE85LF2SC4213BTE85LF |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 3mA、 30A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 350 @ 4mA、 2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | USM |
| 其它名称 | 2SC4213BTE85LFCT |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 25 V |
| 商标 | Toshiba |
| 增益带宽产品fT | 30 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 100 mW |
| 最大直流电集电极电流 | 300 mA |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 20V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 300mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 1200 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 20 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.042 V |
| 集电极连续电流 | 300 mA |
| 频率-跃迁 | 30MHz |
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