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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC6095-TD-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC6095-TD-E价格参考。ON Semiconductor2SC6095-TD-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SC6095-TD-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SC6095-TD-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SC6095-TD-E是安森美(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于高频、高功率放大应用的器件。该型号广泛应用于需要高效信号放大与功率控制的电子设备中。 主要应用场景包括: 1. 射频(RF)放大电路:由于具备优良的高频特性,2SC6095-TD-E常用于无线通信设备中的射频功率放大模块,如基站组件、对讲机和广播发射设备等。 2. 音频功率放大器:在音响系统或家用/专业音频设备中,作为末级功率放大管使用,提供较高的输出电流和良好的线性度,提升音质表现。 3. 开关电源(SMPS):适用于中等功率的DC-DC转换器或AC-DC电源中,用作高速开关元件,实现高效的电能转换。 4. 工业控制与驱动电路:可用于电机驱动、继电器控制或脉冲宽度调制(PWM)电路中,实现对负载的精确控制。 该晶体管具有较高的最大集电极电流(Ic)和功率耗散能力,适合在紧凑空间内实现高性能设计。同时,其采用小型化封装(如TD包装),有利于节省PCB空间,适用于高密度组装的现代电子产品。 综上,2SC6095-TD-E是一款适用于高频、中高功率场景的通用型NPN晶体管,特别适合通信、音频和电源类应用,在工业、消费电子及通信基础设施中均有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO 2.5A 80V SOT89-3两极晶体管 - BJT BIP NPN 2.5A 80V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SC6095-TD-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SC6095-TD-E |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 50mA,1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 300 @ 100mA,5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | PCP |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 6.5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 350 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 3.5 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 4 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 2.5A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 600 |
| 系列 | 2SC6095 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 120 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.1 V |
| 集电极连续电流 | 2.5 A |
| 频率-跃迁 | 350MHz |