Datasheet下载- 型号： PBHV8140Z,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBHV8140Z,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBHV8140Z,115价格参考￥询价-￥询价。NXP SemiconductorsPBHV8140Z,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBHV8140Z,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBHV8140Z,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBHV8140Z,115 是 NXP USA Inc. 推出的高压NPN双极结型晶体管（BJT），主要面向高电压、中等电流开关应用。其典型应用场景包括： - 汽车电子系统：如LED车灯驱动（日行灯、尾灯、转向灯）、电机控制（小功率风扇、雨刷、座椅调节）、车身控制模块（BCM）中的负载开关；符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，支持-40°C至+150°C宽温工作。 - 工业控制：继电器驱动、电磁阀/螺线管控制、PLC输出模块、电源管理中的高压侧/低压侧开关。 - 消费与家电：智能家电（如洗衣机、空调）中的电机启停控制、高压DC-DC转换器的初级侧开关（需配合外部驱动电路）。 该器件具备400 V高VCEO耐压、500 mA连续集电极电流（IC）、低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.35 V @ IC=250 mA），并采用SOT223封装，散热性能良好，适合空间受限的PCB布局。其高增益（hFE ≥ 120 @ IC=250 mA）可降低基极驱动功耗，提升系统能效。 注意：不适用于高频放大或射频场景，设计时需确保基极限流及反向EMF保护（如并联续流二极管用于感性负载）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 400V 1A SOT223两极晶体管 - BJT 500V 1A NPN HI VLTG LO VCESAT TRANSISTOR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBHV8140Z,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBHV8140Z,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 200mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 35 @ 500mA，10V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 568-6378-1 |
| 功率-最大值 | 1.45W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 25 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 1.45 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 400V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 155 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 10 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 400 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 500 V |
| 集电极连续电流 | 1 A |
| 频率-跃迁 | 25MHz |
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