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RTU002P02T106产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RTU002P02T106由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RTU002P02T106价格参考。ROHM SemiconductorRTU002P02T106封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 250mA(Ta) 200mW(Ta) UMT3。您可以下载RTU002P02T106参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RTU002P02T106 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RTU002P02T106 是由 Rohm Semiconductor 生产的一款单通道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种应用场景。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理 RTU002P02T106 可广泛应用于各种电源管理系统中,如 DC-DC 转换器、线性稳压器等。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少功率损耗,提高效率,特别适合需要高效能的便携式设备或电池供电系统。 2. 电机控制 在小型电机驱动应用中,RTU002P02T106 可用于实现高效的电机控制。例如,在无人机、电动工具、智能家居设备中的小型直流电机驱动中,该 MOSFET 的快速开关特性和低损耗特性能够确保电机的平稳运行,并延长电池寿命。 3. 负载开关 作为负载开关,RTU002P02T106 可以用于保护电路免受过流、短路等故障的影响。它可以在检测到异常情况时迅速切断电流路径,从而保护后端电路的安全。这种应用场景常见于消费电子设备、工业控制系统等。 4. 信号切换 在需要高频信号切换的应用中,RTU002P02T106 的快速开关速度使其成为理想选择。它可以用于射频(RF)电路、音频放大器、数据通信接口等场景,确保信号的准确传输和处理。 5. 电池保护 对于锂电池或其他类型的可充电电池,RTU002P02T106 可以用作电池保护电路中的关键元件。通过监测电池电压和电流,MOSFET 可以在电池过充、过放或短路时迅速断开连接,确保电池的安全使用。 6. 汽车电子 在汽车电子系统中,RTU002P02T106 可用于车身控制模块、车载充电器、LED 照明驱动等应用。其高可靠性和耐高温性能使得它能够在严苛的汽车环境中稳定工作。 总的来说,RTU002P02T106 凭借其出色的电气特性,适用于广泛的工业、消费类和汽车电子应用领域,特别是在需要高效能、低功耗和高可靠性的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 20V 250MA SOT-323MOSFET P-CH 20V 200MA SOT-323 |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | +/- 250 mA |
Id-连续漏极电流 | 250 mA |
品牌 | ROHM Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RTU002P02T106- |
数据手册 | |
产品型号 | RTU002P02T106 |
Pd-PowerDissipation | 0.2 W |
Pd-功率耗散 | 200 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
上升时间 | 6 ns |
下降时间 | 6 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.5 欧姆 @ 250mA,4.5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | UMT3 |
其它名称 | RTU002P02T106DKR |
典型关闭延迟时间 | 35 ns |
功率-最大值 | 200mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
封装/箱体 | UMT-3 |
工具箱 | /product-detail/zh/846-1002-KIT/846-1002-KIT-ND/2277303 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 250mA (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |