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  • 型号: RTU002P02T106
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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RTU002P02T106产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RTU002P02T106由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RTU002P02T106价格参考。ROHM SemiconductorRTU002P02T106封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 250mA(Ta) 200mW(Ta) UMT3。您可以下载RTU002P02T106参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RTU002P02T106 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

RTU002P02T106 是由 Rohm Semiconductor 生产的一款单通道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种应用场景。以下是该型号的主要应用场景:

 1. 电源管理
RTU002P02T106 可广泛应用于各种电源管理系统中,如 DC-DC 转换器、线性稳压器等。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少功率损耗,提高效率,特别适合需要高效能的便携式设备或电池供电系统。

 2. 电机控制
在小型电机驱动应用中,RTU002P02T106 可用于实现高效的电机控制。例如,在无人机、电动工具、智能家居设备中的小型直流电机驱动中,该 MOSFET 的快速开关特性和低损耗特性能够确保电机的平稳运行,并延长电池寿命。

 3. 负载开关
作为负载开关,RTU002P02T106 可以用于保护电路免受过流、短路等故障的影响。它可以在检测到异常情况时迅速切断电流路径,从而保护后端电路的安全。这种应用场景常见于消费电子设备、工业控制系统等。

 4. 信号切换
在需要高频信号切换的应用中,RTU002P02T106 的快速开关速度使其成为理想选择。它可以用于射频(RF)电路、音频放大器、数据通信接口等场景,确保信号的准确传输和处理。

 5. 电池保护
对于锂电池或其他类型的可充电电池,RTU002P02T106 可以用作电池保护电路中的关键元件。通过监测电池电压和电流,MOSFET 可以在电池过充、过放或短路时迅速断开连接,确保电池的安全使用。

 6. 汽车电子
在汽车电子系统中,RTU002P02T106 可用于车身控制模块、车载充电器、LED 照明驱动等应用。其高可靠性和耐高温性能使得它能够在严苛的汽车环境中稳定工作。

总的来说,RTU002P02T106 凭借其出色的电气特性,适用于广泛的工业、消费类和汽车电子应用领域,特别是在需要高效能、低功耗和高可靠性的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 20V 250MA SOT-323MOSFET P-CH 20V 200MA SOT-323

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

+/- 250 mA

Id-连续漏极电流

250 mA

品牌

ROHM Semiconductor

产品手册

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RTU002P02T106-

数据手册

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产品型号

RTU002P02T106

Pd-PowerDissipation

0.2 W

Pd-功率耗散

200 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

2 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

2 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

6 ns

下降时间

6 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

50pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.5 欧姆 @ 250mA,4.5V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

UMT3

其它名称

RTU002P02T106DKR

典型关闭延迟时间

35 ns

功率-最大值

200mW

包装

Digi-Reel®

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

UMT-3

工具箱

/product-detail/zh/846-1002-KIT/846-1002-KIT-ND/2277303

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

250mA (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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