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IRF840SPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF840SPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF840SPBF价格参考。VishayIRF840SPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 500V 8A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK。您可以下载IRF840SPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF840SPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF840SPBF 是 Vishay Siliconix 品牌下的一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) IRF840SPBF 的高电压耐受能力(最大漏源极电压 Vds = 500V)使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用,例如: - 反激式转换器 - 正激式转换器 - 降压/升压转换器 2. 电机驱动 该器件可以用于低功率到中功率的电机驱动电路中,控制电机的启动、停止和速度调节。其典型应用包括: - 小型直流电机控制 - 家用电器中的电机驱动(如风扇、泵) 3. 逆变器 在光伏逆变器或 UPS(不间断电源)系统中,IRF840SPBF 可作为开关元件,实现直流到交流的转换。 4. 电子负载 由于其良好的电流处理能力和较低的导通电阻(Rds(on) = 0.9 Ω @ Vgs = 10V),该 MOSFET 可用于模拟电子负载,测试电源和其他电子设备的性能。 5. 继电器替代 在需要频繁开关的场景中,IRF840SPBF 可以替代机械继电器,提供更快的响应速度和更长的使用寿命。例如: - 汽车电子中的负载切换 - 工业自动化中的信号切换 6. 保护电路 该 MOSFET 可用于过流保护、短路保护和反向电压保护电路中,确保系统的安全运行。 7. 音频放大器 在一些低失真音频放大器设计中,IRF840SPBF 可用作输出级的开关或驱动元件。 总结 IRF840SPBF 凭借其高耐压、适中的导通电阻和良好的开关特性,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器、电子负载、继电器替代和保护电路等领域。其具体应用场景取决于实际电路设计的需求和工作条件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 8A D2PAKMOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF840SPBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91071 |
| 产品型号 | IRF840SPBFIRF840SPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 850 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 850 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 23 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 63nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 850 毫欧 @ 4.8A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRF840SPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 49 ns |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 功率耗散 | 3.1 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 850 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 500 V |
| 漏极连续电流 | 8 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |