Datasheet下载- 型号： NTB60N06LT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTB60N06LT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTB60N06LT4G价格参考。ON SemiconductorNTB60N06LT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTB60N06LT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTB60N06LT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTB60N06LT4G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于各种电源管理和功率控制场合。该器件具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力，适合高效能、高可靠性的电力电子系统。 其主要应用场景包括： 1. 电源转换器：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等，用于提高能量转换效率。 2. 电机驱动：用于无刷直流电机、步进电机等控制电路中，实现高速开关和精确控制。 3. 负载开关：在电源管理系统中作为高边或低边开关，控制负载的通断。 4. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制，保护电池免受过流、短路等损害。 5. 照明系统：如LED驱动电路中，用于调光和恒流控制。 6. 工业自动化：在PLC、工业电源等设备中作为功率开关元件。 该MOSFET采用TO-252封装，便于散热和安装，适用于中高功率应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET PWR N-CHAN 60A 60V D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTB60N06LT4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3075pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16 毫欧 @ 30A，5V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | NTB60N06LT4GOSCT |
| 功率-最大值 | 2.4W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Ta） |
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