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产品简介:
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Infineon Technologies(英飞凌科技)的BSP318S E6327是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效开关和功率控制的电子系统中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适合用于中低功率应用场景。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、电源适配器、电池管理系统等,用于提高能效和减小体积; 2. 电机控制:在电动工具、风扇、泵等小型电机驱动电路中,作为开关元件使用; 3. 照明系统:如LED驱动器,用于调光和恒流控制; 4. 汽车电子:用于车载电源系统、车灯控制、传感器供电等场景,具备良好的可靠性和耐环境能力; 5. 工业自动化:在PLC、继电器替代方案和工业控制模块中,实现快速开关和负载管理; 6. 消费类电子产品:如智能家电、充电器、UPS等,提供高效、稳定的功率控制。 该MOSFET采用TSOP封装,适合表面贴装工艺,便于自动化生产和空间紧凑的设计需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Infineon Technologies |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSP318S_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42f30c74b13 |
产品图片 | |
产品型号 | BSP318S E6327 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | SIPMOS® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 20µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 380pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 90 毫欧 @ 2.6A,10V |
供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
其它名称 | BSP318SE6327T |
功率-最大值 | 1.8W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.6A (Ta) |