ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > SI4943BDY-T1-E3
Datasheet下载- 型号： SI4943BDY-T1-E3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4943BDY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4943BDY-T1-E3价格参考。VishaySI4943BDY-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 6.3A 1.1W 表面贴装 8-SO。您可以下载SI4943BDY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4943BDY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI4943BDY-T1-E3是一款双通道N沟道MOSFET阵列，广泛应用于多种电子设备中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理 SI4943BDY-T1-E3常用于电源管理系统中，特别是在需要高效开关和低功耗的应用中。它具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下保持较低的功率损耗，从而提高电源转换效率。适用于笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式设备的充电电路、电池管理系统以及DC-DC转换器。 2. 负载开关 在负载开关应用中，该器件可以快速响应负载变化，确保系统在启动、关闭或故障状态下能够安全地控制电流流动。其低导通电阻有助于减少发热，延长设备寿命，并提高系统的可靠性和稳定性。 3. 电机驱动 该MOSFET阵列也适用于小型电机驱动电路，如步进电机、直流无刷电机等。它能够提供足够的电流驱动能力，同时具备快速开关特性，适合用于无人机、智能家居设备、消费电子产品中的电机控制。 4. 信号切换 在音频、视频或其他信号切换电路中，SI4943BDY-T1-E3可以作为模拟开关使用。其低导通电阻和快速开关速度使得它能够在不同信号源之间进行快速切换，而不会引入过多的噪声或失真，适用于多媒体设备、投影仪等产品。 5. 过流保护 该器件还可以用于过流保护电路中，通过检测电流大小并在超过设定阈值时切断电流路径，防止电路过载或损坏。其内置的热关断保护功能进一步增强了系统的安全性。 6. 通信设备 在通信设备中，如路由器、交换机等，该MOSFET阵列可用于电源管理和信号切换，确保设备在高数据传输速率下的稳定运行。 总之，SI4943BDY-T1-E3凭借其低导通电阻、快速开关速度和高可靠性，适用于各种对性能和功耗有严格要求的电子设备中，尤其是在便携式设备、电源管理、信号切换等领域表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOICMOSFET 20V 8.4A 2W |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.3 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?73073 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4943BDY-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4943BDY-T1-E3SI4943BDY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.1 W |
| Pd-功率耗散 | 1.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 19 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 19 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 19 毫欧 @ 8.4A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4943BDY-T1-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 94 ns |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.3A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI4943BDY-E3 |
(SN).jpg)
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
