Datasheet下载- 型号： STP18NM60N
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP18NM60N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP18NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTP18NM60N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STP18NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP18NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STP18NM60N是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：该MOSFET适用于各种开关模式电源，例如DC-DC转换器、反激式转换器等。其600V的击穿电压使其能够承受较高的电压波动，适合于工业和消费类电源应用。 2. 电机驱动：可用于驱动小型直流电机或步进电机。由于其低导通电阻（Rds(on)），可以有效减少功率损耗，提高效率。 3. 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，STP18NM60N可以用作高频开关元件，帮助实现高效的电能转换。 4. 负载开关：作为负载开关使用时，它可以快速响应并控制电路中的电流流动，保护下游电路免受过流或短路的影响。 5. 电磁阀控制：适用于需要高电压驱动的电磁阀控制电路，提供稳定可靠的开关功能。 6. 电池管理系统（BMS）：用于保护锂离子电池组免受过度充放电的影响，通过精确控制充电和放电路径来延长电池寿命。 7. 家电产品：如吸尘器、风扇等家用电器中，可作为功率开关或调节器组件。 8. 汽车电子：尽管不是专为汽车设计，但在某些非关键性车载应用中也能发挥作用，比如车窗升降器、座椅调节器等辅助系统。 总之，STP18NM60N凭借其高耐压能力、较低的导通电阻以及良好的热性能，在众多需要高效功率转换和控制的应用领域中表现出色。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 13A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STP18NM60N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ II |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 285 毫欧 @ 6.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 497-10305-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF243786?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Tc） |
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