Datasheet下载- 型号： MR20H40CDFR
- 制造商： EVERSPIN TECHNOLOGIES
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MR20H40CDFR由EVERSPIN TECHNOLOGIES设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MR20H40CDFR价格参考。EVERSPIN TECHNOLOGIESMR20H40CDFR封装/规格：存储器， MRAM（磁阻式 RAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） SPI 50MHz 8-DFN-EP，小标志（5x6）。您可以下载MR20H40CDFR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MR20H40CDFR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Everspin Technologies 的 MR20H40CDFR 是一款 4Mb（512K × 8）的串行接口（SPI）自旋转移矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM），采用40引脚DFN封装，支持工业级温度范围（–40°C 至 +85°C）和高可靠性设计。 其主要应用场景包括： - 工业自动化与控制：用于PLC、运动控制器、人机界面（HMI）等设备中存储关键配置参数、校准数据和运行日志，利用MRAM的非易失性、无限擦写寿命（>10¹⁵次）及抗辐射/抗冲击特性，确保断电不丢数、长期稳定运行。 - 汽车电子：适用于ADAS域控制器、车载网关、电池管理系统（BMS）等对功能安全（ISO 26262 ASIL-B兼容）和数据持久性要求严苛的场景，替代EEPROM或Flash，避免写延迟和磨损问题。 - 网络与通信设备：在交换机、路由器、光模块中用作快速启动代码存储、MAC地址表缓存或配置寄存器备份，受益于纳秒级读取速度与即时写入能力。 - 医疗与航空航天设备：在便携式监护仪、飞行数据记录器等需高可靠性、宽温工作与零功耗数据保持的场合，提供优于传统NVRAM的解决方案。 该器件无需备用电池或电容，简化系统设计，降低BOM成本与维护需求，是高性能、高可靠嵌入式系统中替代传统非易失存储的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC MRAM 4MBIT 50MHZ 8DFN |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Everspin Technologies Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MR20H40CDFR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-DFN-EP，小标志 （5x6） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量 | 4M （512K x 8） |
| 封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | SPI 串行 |
| 标准包装 | 4,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 50MHz |
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