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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BC807-40WT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC807-40WT1G价格参考。ON SemiconductorBC807-40WT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 45V 500mA 100MHz 460mW 表面贴装 SC-70-3(SOT323)。您可以下载BC807-40WT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC807-40WT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BC807-40WT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 型通用小信号晶体管。该型号的晶体管广泛应用于各种电子电路中,主要用途包括: 1. 开关应用 - BC807-40WT1G 可用作电子开关,用于控制其他设备或电路的通断状态。例如,在继电器驱动、LED 驱动和小型电机控制等场景中,它能够根据输入信号快速切换负载的开启或关闭。 - 典型应用场景:消费类电子产品中的信号切换、家用电器中的简单逻辑控制。 2. 信号放大 - 作为一款小信号晶体管,BC807-40WT1G 能够对微弱的电信号进行放大。适用于音频前置放大器、传感器信号调理电路以及其他需要低噪声放大的场合。 - 典型应用场景:音频设备中的前置级放大、工业传感器信号增强。 3. 电源管理 - 在低功耗系统中,BC807-40WT1G 可用于简单的电流调节或稳压电路,帮助稳定输出电压或限制电流。 - 典型应用场景:电池供电设备中的电流保护、便携式设备中的电源管理模块。 4. 通信与接口电路 - 该晶体管可以用于 RS-232 接口转换、电平移位或其他通信协议相关的电路设计,实现信号的适配和传输。 - 典型应用场景:嵌入式系统中的串口通信、数据链路接口电路。 5. 过流保护与限流功能 - 利用其电流放大特性,BC807-40WT1G 可以设计成过流保护电路的一部分,防止负载电流过大损坏后续电路。 - 典型应用场景:USB 端口保护、充电电路中的电流限制。 技术特点支持的应用需求: - 最大集电极电流 (Ic):400mA:适合中小功率应用。 - 最大集电极-发射极电压 (Vce):45V:能够在较高的工作电压下运行。 - 低饱和电压:提高效率,减少功耗,适用于电池供电设备。 - 高增益 (hFE):保证良好的信号放大性能。 综上所述,BC807-40WT1G 晶体管凭借其稳定的性能和广泛的适用性,成为许多消费电子、工业控制及通信领域中不可或缺的基础元件。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PNP 45V 500MA SC-70两极晶体管 - BJT SS SC70 GP XSTR PNP 45V |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BC807-40WT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | BC807-40WT1G |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 700mV @ 50mA,500mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 250 @ 100mA,1V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SC-70-3(SOT323) |
功率-最大值 | 460mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
封装/箱体 | SC-70 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 460 mW |
最大直流电集电极电流 | - 500 mA |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 45V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
系列 | BC807-40W |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 45 V |
集电极连续电流 | - 500 mA |
频率-跃迁 | 100MHz |