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  • 型号: FDD306P
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDD306P产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDD306P由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD306P价格参考。Fairchild SemiconductorFDD306P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 12V 6.7A(Ta) 52W(Ta) TO-252。您可以下载FDD306P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDD306P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAKMOSFET SPECIFIED POWER TR 1.8V PCH

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平栅极,1.8V 驱动

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

6.7 A

Id-连续漏极电流

6.7 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD306PPowerTrench®

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产品型号

FDD306P

Pd-PowerDissipation

52 W

Pd-功率耗散

52 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

28 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

28 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 12 V

Vds-漏源极击穿电压

- 12 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

8 ns

下降时间

41 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1290pF @ 6V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

21nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

28 毫欧 @ 6.7A,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-252-3

其它名称

FDD306P-ND
FDD306PTR

典型关闭延迟时间

34 ns

功率-最大值

1.6W

包装

带卷 (TR)

单位重量

260.370 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

12V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6.7A (Ta)

系列

FDD306P

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FDD306P_NL

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