ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FDD306P
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FDD306P产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD306P由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD306P价格参考。Fairchild SemiconductorFDD306P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 12V 6.7A(Ta) 52W(Ta) TO-252。您可以下载FDD306P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDD306P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD306P是ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。这款MOSFET具有低导通电阻、快速开关速度和高电流承载能力,适用于多种电力电子应用场景。以下是FDD306P的主要应用场景: 1. 电源管理 FDD306P广泛应用于各类电源管理系统中,如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。其低导通电阻(Rds(on))特性可以减少功率损耗,提高电源效率。在开关电源设计中,FDD306P可以用作主开关管或同步整流管,帮助实现高效的能量转换。 2. 电机驱动 FDD306P适合用于小型电机的驱动电路,如步进电机、直流无刷电机(BLDC)等。它可以承受较高的电流,并且能够快速响应控制信号,确保电机平稳运行。此外,FDD306P的低导通电阻有助于降低电机驱动时的发热,延长系统的使用寿命。 3. 负载开关 在便携式设备和消费电子产品中,FDD306P可以用作负载开关,控制电源的通断。它能够快速响应控制信号,确保设备在待机或关机状态下几乎不消耗电流,从而延长电池寿命。同时,其低导通电阻可以减少电压降,保证负载端的电压稳定。 4. 电池保护 FDD306P可以用于锂电池或其他可充电电池的保护电路中,防止过充、过放、短路等情况的发生。通过与控制器配合,FDD306P可以在异常情况下迅速切断电流路径,保护电池和相关电路免受损坏。 5. 工业自动化 在工业自动化领域,FDD306P可用于各种传感器接口、执行器控制以及通信模块的电源管理。它的高可靠性和快速开关特性使其能够在复杂的工业环境中稳定工作,满足不同应用场景的需求。 6. 汽车电子 FDD306P也适用于汽车电子系统中的某些应用,如车载充电器、LED照明驱动、电动座椅控制等。它能够在宽温度范围内稳定工作,适应汽车环境的苛刻要求。 总之,FDD306P凭借其优异的电气性能和可靠性,成为许多电力电子应用的理想选择,尤其是在需要高效、快速响应和低功耗的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAKMOSFET SPECIFIED POWER TR 1.8V PCH |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极,1.8V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.7 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD306PPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDD306P |
| Pd-PowerDissipation | 52 W |
| Pd-功率耗散 | 52 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 28 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 28 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 41 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1290pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 28 毫欧 @ 6.7A,4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252-3 |
| 其它名称 | FDD306P-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 34 ns |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.7A (Ta) |
| 系列 | FDD306P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FDD306P_NL |