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STW3N150产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STW3N150由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW3N150价格参考¥17.52-¥21.05。STMicroelectronicsSTW3N150封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 1500V 2.5A(Tc) 140W(Tc) TO-247-3。您可以下载STW3N150参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STW3N150 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STW3N150是一款单个MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于功率半导体器件。它广泛应用于各种电力电子设备中,主要应用场景包括但不限于以下几类: 1. 电源管理 STW3N150适用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC converters)。由于其低导通电阻和快速开关特性,能够在高频条件下高效地进行电压转换,减少能量损耗,提高电源效率。 2. 电机驱动 在电机控制领域,STW3N150可以用于无刷直流电机(BLDC)、步进电机和其他类型的电机驱动电路中。它能够承受较大的电流波动,并且具有良好的热稳定性,确保电机在不同负载条件下的稳定运行。 3. 电池管理系统(BMS) 在电动汽车、储能系统等应用中,STW3N150可以用作电池保护开关或充电/放电控制元件。它能够精确控制电流流动,防止过充、过放等问题,从而延长电池寿命并提高安全性。 4. 工业自动化 在工业控制系统中,STW3N150可用于驱动电磁阀、继电器等执行机构。它的高耐压特性和快速响应速度使其成为理想的开关元件,能够实现对复杂工业流程的精准控制。 5. 消费电子 在消费电子产品如笔记本电脑适配器、智能手机快充模块等场景中,STW3N150同样发挥着重要作用。它能够有效降低发热,提升充电效率,同时保证设备的安全性。 6. 照明系统 在LED照明领域,STW3N150可用于调光控制电路中,通过调节电流来实现亮度调节。其低功耗和高效率特性有助于减少能耗,延长灯具寿命。 总之,STW3N150凭借其出色的电气性能和可靠性,在多个行业中得到了广泛应用,特别是在需要高效、可靠电力转换和控制的应用场景中表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-247MOSFET 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW3N150PowerMESH™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STW3N150 |
| Pd-PowerDissipation | 140 W |
| Pd-功率耗散 | 140 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1.5 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.5 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 47 ns |
| 下降时间 | 61 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 939pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9 欧姆 @ 1.3A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | 497-6332-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF164189?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 功率-最大值 | 140W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 50 C |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1500V(1.5kV) |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ST/MOSFET.html |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.5A (Tc) |
| 系列 | STW3N150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |