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  • 型号: PMZ760SN,315
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PMZ760SN,315产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMZ760SN,315由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMZ760SN,315价格参考。NXP SemiconductorsPMZ760SN,315封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 1.22A(Tc) 2.5W(Tc) DFN1006-3。您可以下载PMZ760SN,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMZ760SN,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 的 PMZ760SN,315 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,适用于多种电源管理和开关应用。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:用于 DC-DC 转换器、负载开关和电池供电设备中的高效电源控制。  
2. 电机控制:适用于小型电机、执行器和继电器的开关控制,提供快速响应和低导通电阻。  
3. 工业自动化:用于 PLC、传感器和工业控制设备中,实现高效、可靠的信号和功率切换。  
4. 汽车电子:适用于车载充电系统、车身控制模块等对可靠性和效率要求较高的场景。  
5. 消费电子:用于笔记本电脑、电源适配器、智能家电等设备中的功率开关和电源管理模块。

该器件具备低导通电阻、高可靠性和小型封装,适合空间受限且对效率要求较高的设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 60V 1.22A SOT883

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

NXP Semiconductors

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产品型号

PMZ760SN,315

PCN封装

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

23pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

1.05nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

900 毫欧 @ 300mA,10V

供应商器件封装

SOT-883

其它名称

568-7443-6

功率-最大值

2.5W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-101,SOT-883

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.22A (Tc)

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