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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供5LN01M-TL-H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 5LN01M-TL-H价格参考。ON Semiconductor5LN01M-TL-H封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载5LN01M-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有5LN01M-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
5LN01M-TL-H 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于低电压、中等功率的开关应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、稳压模块和电池管理系统,用于高效能的电源转换与调节。 2. 负载开关:作为电子开关控制负载的通断,常见于便携式设备、智能电表及工业控制系统中。 3. 马达驱动:用于小型直流马达或步进马达的控制,适用于打印机、风扇、电动玩具等消费类电子产品。 4. LED照明:在LED驱动电路中作为调光或开关元件,用于实现高效的亮度控制。 5. 保护电路:用于过流保护、反向电压保护等场合,提供电路安全保护功能。 6. 物联网(IoT)设备:因体积小、功耗低,适用于各类物联网终端设备中的电源控制模块。 该MOSFET具有低导通电阻、封装小巧、响应速度快等优点,适合高效率、高集成度的电子系统设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 50V 100MA SC59MOSFET SWITCHING DEVICE |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 100 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor 5LN01M-TL-H- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 5LN01M-TL-H |
| Pd-PowerDissipation | 0.15 W |
| Pd-功率耗散 | 150 mW |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6 Ohms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 50 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6.6pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.57nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.8 欧姆 @ 50mA,4V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-MCP |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 6 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | MCP-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 50 V |
| 漏极连续电流 | 100 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100mA (Ta) |
| 系列 | 5LN01M |
| 配置 | Single |