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  • 型号: STL36N55M5
  • 制造商: STMicroelectronics
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STL36N55M5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL36N55M5价格参考。STMicroelectronicsSTL36N55M5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 550V 22.5A(Tc) 2.8W(Ta),150W(Tc) PowerFlat™(8x8) HV。您可以下载STL36N55M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STL36N55M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSF N CH 550V 22.5A PWRFLT8X8HVMOSFET N-Ch 550V 0.066Ohm 31A MDmesh V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

22.5 A

Id-连续漏极电流

22.5 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL36N55M5MDmesh™ V

数据手册

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产品型号

STL36N55M5

Pd-PowerDissipation

150 W

Pd-功率耗散

150 W

Qg-GateCharge

62 nC

Qg-栅极电荷

62 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

90 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

90 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

550 V

Vds-漏源极击穿电压

550 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

13 ns

下降时间

13 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2670pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

62nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

90 毫欧 @ 16.5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerFlat™ (8x8) HV

其它名称

497-13601-6

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF252984??referrer=70071840http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF252984?referrer=70071840

功率-最大值

150W

包装

Digi-Reel®

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

90 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

4-PowerFlat™ HV

封装/箱体

PowerFLAT-4 8x8 HV

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

550 V

漏极连续电流

22.5 A

漏源极电压(Vdss)

550V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

22.5A (Tc)

系列

STL36N55M5

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