ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > BSP171PH6327XTSA1
Datasheet下载- 型号： BSP171PH6327XTSA1
- 制造商： Infineon
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSP171PH6327XTSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP171PH6327XTSA1价格参考。InfineonBSP171PH6327XTSA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4。您可以下载BSP171PH6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSP171PH6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的BSP171PH6327XTSA1是一款N沟道MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于中小功率开关和信号控制场合。该器件采用PG-SOT343-4封装，具有低导通电阻、快速开关响应和高可靠性等特点。 其典型应用场景包括：便携式电子设备中的电源管理，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池供电切换与负载控制；消费类电子产品中的DC-DC转换器，用于提升电源效率；LED驱动电路中作为开关元件，实现亮度调节与稳定电流控制；此外，还适用于小型电机驱动、继电器驱动以及各类低电压逻辑控制电路。 由于BSP171PH6327XTSA1具备良好的热稳定性和紧凑的封装尺寸，特别适合空间受限且对能效要求较高的高密度电路设计。在工业控制、智能家居设备及传感器接口电路中也常被用作信号开关或电平转换元件。总体而言，该MOSFET适用于需要高效、低功耗、小体积解决方案的中低功率电子系统。
| 参数 | 数值 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.9 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal 300mOhms -60V -1.9A |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSP171PH6327XTSA1 |
| 产品型号 | BSP171PH6327XTSA1 |
| Pd-PowerDissipation | 1.8 W |
| Pd-功率耗散 | 1.8 W |
| Qg-GateCharge | 13 nC |
| Qg-栅极电荷 | 13 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 300 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 300 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1.5 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 87 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 208 ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导-最小值 | 1.4 S |
| 系列 | BSP171 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SP001058824 |
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