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  • 型号: ATF-58143-TR1G
  • 制造商: Avago Technologies
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ATF-58143-TR1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-58143-TR1G由Avago Technologies设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-58143-TR1G价格参考。Avago TechnologiesATF-58143-TR1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, RF Mosfet pHEMT FET 3V 30mA 2GHz 16.5dB 19dBm SOT-343。您可以下载ATF-58143-TR1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ATF-58143-TR1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ATF-58143-TR1G是由Broadcom Limited生产的一款高性能砷化镓(GaAs)增强型假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT),属于射频场效应晶体管(RF FET/MOSFET)类别。该器件专为低噪声放大(LNA)应用设计,广泛应用于高频、低功耗的无线通信系统中。

其主要应用场景包括:  
1. 无线通信系统:适用于蜂窝基础设施中的微波回传链路、基站接收模块等,支持从DC到超过6 GHz的宽频带工作,适合GSM、WCDMA、LTE和5G通信频段。  
2. 卫星通信:凭借出色的噪声系数(典型值低于0.4 dB)和高增益特性,适用于低功率卫星接收前端,提升信号灵敏度。  
3. 点对点与点对多点微波系统:用于远程无线数据传输系统中的低噪声放大级,保障长距离传输的信号完整性。  
4. 宽带网络设备:在毫米波前端、Wi-Fi 6E及未来6G预研系统中,作为关键的射频放大元件。  
5. 测试与测量仪器:因其稳定的高频性能,常用于频谱分析仪、信号发生器等高端设备的射频输入级设计。

ATF-58143-TR1G采用小型表面贴装封装(SOT-343),便于高密度PCB布局,并具备良好的热稳定性和可靠性。其低工作电压(通常2V供电)和低静态电流特性,使其非常适合电池供电或对功耗敏感的应用场景。

综上,该器件主要面向需要高线性度、低噪声和宽频带响应的射频前端设计,是现代高频通信系统中关键的低噪声放大解决方案之一。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

IC PHEMT 2GHZ 3V 30MA SOT-343射频JFET晶体管 Transistor GaAs Single Voltage

产品分类

RF FET分离式半导体

Id-ContinuousDrainCurrent

100 mA

Id-连续漏极电流

100 mA

品牌

Avago Technologies US Inc.

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Avago Technologies ATF-58143-TR1G-

数据手册

http://www.avagotech.com/docs/AV02-0672EN

P1dB

19 dBm

产品型号

ATF-58143-TR1G

PCN组件/产地

http://www.avagotech.com/docs/V11-024-480035-0B

Pd-PowerDissipation

500 mW

Pd-功率耗散

500 mW

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

5 V

Vds-漏源极击穿电压

5 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

- 5 V to 1 V

Vgs-栅源极击穿电压

- 5 V to 1 V

产品

RF JFET

产品种类

射频JFET晶体管

供应商器件封装

SOT-343

其它名称

516-2692-1

功率-输出

19dBm

功率耗散

500 mW

包装

剪切带 (CT)

商标

Avago Technologies

噪声系数

0.5dB

增益

16.5dB

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-82A,SOT-343

封装/箱体

SOT-343

工厂包装数量

3000

技术

GaAs

晶体管类型

pHEMT FET

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

410 mmho

漏极连续电流

100 mA

漏源电压VDS

5 V

电压-测试

3V

电压-额定

5V

电流-测试

30mA

类型

GaAs EpHEMT

配置

Single Dual Source

闸/源击穿电压

- 5 V to 1 V

频率

2GHz

额定电流

100mA

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