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ATF-58143-TR1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-58143-TR1G由Avago Technologies设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-58143-TR1G价格参考。Avago TechnologiesATF-58143-TR1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, RF Mosfet pHEMT FET 3V 30mA 2GHz 16.5dB 19dBm SOT-343。您可以下载ATF-58143-TR1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ATF-58143-TR1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ATF-58143-TR1G是由Broadcom Limited生产的一款高性能砷化镓(GaAs)增强型假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT),属于射频场效应晶体管(RF FET/MOSFET)类别。该器件专为低噪声放大(LNA)应用设计,广泛应用于高频、低功耗的无线通信系统中。 其主要应用场景包括: 1. 无线通信系统:适用于蜂窝基础设施中的微波回传链路、基站接收模块等,支持从DC到超过6 GHz的宽频带工作,适合GSM、WCDMA、LTE和5G通信频段。 2. 卫星通信:凭借出色的噪声系数(典型值低于0.4 dB)和高增益特性,适用于低功率卫星接收前端,提升信号灵敏度。 3. 点对点与点对多点微波系统:用于远程无线数据传输系统中的低噪声放大级,保障长距离传输的信号完整性。 4. 宽带网络设备:在毫米波前端、Wi-Fi 6E及未来6G预研系统中,作为关键的射频放大元件。 5. 测试与测量仪器:因其稳定的高频性能,常用于频谱分析仪、信号发生器等高端设备的射频输入级设计。 ATF-58143-TR1G采用小型表面贴装封装(SOT-343),便于高密度PCB布局,并具备良好的热稳定性和可靠性。其低工作电压(通常2V供电)和低静态电流特性,使其非常适合电池供电或对功耗敏感的应用场景。 综上,该器件主要面向需要高线性度、低噪声和宽频带响应的射频前端设计,是现代高频通信系统中关键的低噪声放大解决方案之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | IC PHEMT 2GHZ 3V 30MA SOT-343射频JFET晶体管 Transistor GaAs Single Voltage |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 mA |
| Id-连续漏极电流 | 100 mA |
| 品牌 | Avago Technologies US Inc. |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Avago Technologies ATF-58143-TR1G- |
| 数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-0672EN |
| P1dB | 19 dBm |
| 产品型号 | ATF-58143-TR1G |
| PCN组件/产地 | http://www.avagotech.com/docs/V11-024-480035-0B |
| Pd-PowerDissipation | 500 mW |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 5 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 5 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 5 V to 1 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 5 V to 1 V |
| 产品 | RF JFET |
| 产品种类 | 射频JFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-343 |
| 其它名称 | 516-2692-1 |
| 功率-输出 | 19dBm |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Avago Technologies |
| 噪声系数 | 0.5dB |
| 增益 | 16.5dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-82A,SOT-343 |
| 封装/箱体 | SOT-343 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | GaAs |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 410 mmho |
| 漏极连续电流 | 100 mA |
| 漏源电压VDS | 5 V |
| 电压-测试 | 3V |
| 电压-额定 | 5V |
| 电流-测试 | 30mA |
| 类型 | GaAs EpHEMT |
| 配置 | Single Dual Source |
| 闸/源击穿电压 | - 5 V to 1 V |
| 频率 | 2GHz |
| 额定电流 | 100mA |