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详细数据请看参考数据手册
- 型号： NE3511S02-T1C-A
- 制造商： CEL
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE3511S02-T1C-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE3511S02-T1C-A价格参考￥4.45-￥4.74。CELNE3511S02-T1C-A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NE3511S02-T1C-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE3511S02-T1C-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NE3511S02-T1C-A 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的高性能GaAs pHEMT射频MOSFET晶体管，专为微波/射频小信号放大应用优化。其典型应用场景包括： - 2–6 GHz频段的宽带射频前端：如Wi-Fi 5/6（2.4 GHz/5 GHz）、WiMAX、LTE-FDD/TDD基站接收链路中的低噪声放大器（LNA）； - 无线通信基础设施：小型基站（Small Cell）、分布式天线系统（DAS）及有源天线单元（AAU）中的增益模块与驱动级放大； - 测试测量设备：频谱分析仪、矢量网络分析仪等仪器中对高增益、低噪声、高线性度要求严苛的接收通道； - 卫星通信与雷达接收前端：适用于C波段（4–8 GHz）低功耗、高稳定性LNA设计； - 物联网（IoT）与智能终端射频模组：因该器件采用超小型SC-70（SOT-323）封装、支持+3V单电源供电、具备优异的噪声系数（NF ≈ 0.55 dB @ 2 GHz）和高增益（Gₐₛ ≈ 17 dB @ 2 GHz），适合空间受限、功耗敏感的便携式射频系统。 需注意：该器件为增强型pHEMT，非功率放大器，不适用于高功率发射路径；设计时应严格遵循瑞萨推荐的PCB布局、偏置电路及ESD防护规范以确保性能与可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | HJ-FET NCH 13.5DB S02射频JFET晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 70 mA |
| Id-连续漏极电流 | 70 mA |
| 品牌 | CEL |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,CEL NE3511S02-T1C-A- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NE3511S02-T1C-A |
| Pd-PowerDissipation | 165 mW |
| Pd-功率耗散 | 165 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 4 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 4 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 3 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 3 V |
| 产品 | RF JFET |
| 产品种类 | 射频JFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | S02 |
| 功率-输出 | - |
| 功率耗散 | 165 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | CEL |
| 噪声系数 | 0.3 dB |
| 增益 | 13.5 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | S0-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 技术 | GaAs |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | HFET |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 标准包装 | 2,000 |
| 正向跨导-最小值 | 65 mS |
| 漏极连续电流 | 70 mA |
| 漏源电压VDS | 4 V |
| 电压-测试 | 2V |
| 电压-额定 | 4V |
| 电流-测试 | 10mA |
| 类型 | GaAs HEMT |
| 闸/源击穿电压 | - 3 V |
| 频率 | 12 GHz |
| 额定电流 | 70mA |
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