ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > CSD17577Q3AT
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD17577Q3AT由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD17577Q3AT价格参考。Texas InstrumentsCSD17577Q3AT封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 35A(Ta) 2.8W(Ta),53W(Tc) 8-VSONP(3x3.15)。您可以下载CSD17577Q3AT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD17577Q3AT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD17577Q3AT是德州仪器(Texas Instruments)推出的一款N沟道功率MOSFET,属于超小型封装的单MOSFET器件,广泛应用于需要高效率和小尺寸设计的电源系统中。其主要应用场景包括: 1. 同步整流DC-DC转换器:常用于降压(Buck)转换器中的低边或高边开关,适用于服务器、笔记本电脑、通信设备等对能效和空间要求较高的电源管理模块。 2. 负载开关电路:由于导通电阻低(典型值约3.2mΩ),适合用于控制电源路径的通断,如电池供电设备中的电源切换,有效降低功耗和发热。 3. 电机驱动与电源管理:在便携式设备(如无人机、智能家电、电动工具)的电机驱动电路中,作为开关元件提供高效控制。 4. 热插拔与电源排序:适用于工业控制系统和电信设备中需要平稳上电和电流限制的场景。 5. LED驱动与照明电源:在高亮度LED驱动电路中用作开关元件,实现高效恒流控制。 该器件采用1.5mm × 1.5mm SON-6封装,具有优异的热性能和电流承载能力(持续漏极电流可达18A),同时支持高开关频率,有助于减小外围元件尺寸,提升整体功率密度。凭借TI成熟的工艺技术,CSD17577Q3AT在效率、可靠性和空间节省方面表现突出,是现代紧凑型电源设计的理想选择。