ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 > IRF7104TRPBF
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRF7104TRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7104TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7104TRPBF价格参考。International RectifierIRF7104TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 2.3A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF7104TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7104TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF7104TRPBF是由英飞凌科技(Infineon Technologies)生产的一款晶体管,属于FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)阵列类别。其主要应用场景包括以下方面: 1. 电源管理 - IRF7104TRPBF适用于各种电源管理应用,例如DC-DC转换器、开关电源(SMPS)和负载开关等。由于其低导通电阻(Rds(on))特性,能够在高效率下进行电流切换,从而减少功率损耗。 - 常用于笔记本电脑、平板电脑和其他便携式电子设备的电池管理系统中。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动电路中,该器件可用于控制电机的速度和方向。其快速开关特性和较低的功耗使其非常适合驱动小型直流电机或步进电机。 - 应用于家用电器(如风扇、泵)以及消费电子产品中的微型电机控制。 3. 信号切换 - 可用作信号切换元件,在多路复用器或多路分解器设计中实现不同信号路径的选择与切换。 - 在通信设备、音频处理单元及数据传输系统中有广泛应用。 4. 保护电路 - 提供过流保护功能,防止下游电路因过载而损坏。例如,在USB端口或其他接口电路中作为短路保护或热插拔控制器的一部分。 - 还可以用于ESD(静电放电)防护电路的设计中,增强系统的可靠性。 5. 汽车电子 - 在汽车领域,IRF7104TRPBF可用于车身控制模块(BCM)、照明控制、座椅调节以及其他需要高效功率切换的应用场合。 - 其紧凑的封装形式(如SO-8)使得它在空间受限的汽车环境中非常实用。 6. 工业自动化 - 在工业控制领域,这款MOSFET阵列可被用来构建继电器替代方案,以实现更长寿命和更高可靠性的固态开关。 - 适用于工厂自动化设备中的传感器接口、执行器驱动等任务。 综上所述,IRF7104TRPBF凭借其优异的电气性能和稳定的工作表现,广泛应用于消费电子、通信设备、汽车电子及工业自动化等多个领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | HEX/MOS P-CHAN DL 20V 2.3A 8SOICMOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 2.3A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 2.3 A |
| Id-连续漏极电流 | - 2.3 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7104TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7104TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 9.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 9.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 250 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 250 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 290pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 250 毫欧 @ 1A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF7104PBFDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 250 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 栅极电荷Qg | 9.3 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 2.3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.3A |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | 12 V |