Datasheet下载- 型号： IRF7101PBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7101PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7101PBF价格参考。International RectifierIRF7101PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF7101PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7101PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的型号为IRF7101PBF的晶体管属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）阵列类别。该器件主要应用于需要高效功率管理、低功耗和高可靠性的电子系统中。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理 - IRF7101PBF适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块（VRM）。它能够实现高效的功率转换，降低能量损耗。 - 在笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备的电源适配器中，该器件可以提供稳定的电流输出。 2. 电机驱动 - 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，例如家用电器（风扇、水泵）或工业自动化设备中的电机控制。 - 提供快速开关速度和低导通电阻（Rds(on)），从而减少热量生成并提高效率。 3. 负载切换 - 在汽车电子系统中，该MOSFET可用于负载切换，例如车灯控制、雨刷器控制或座椅加热器的电源管理。 - 其紧凑的设计和低功耗特性使其非常适合空间受限的应用环境。 4. 电池保护 - 应用于锂离子电池组的充放电保护电路中，防止过流、短路或过压情况发生。 - 可以作为电子保险丝使用，确保电池系统的安全运行。 5. 信号切换与隔离 - 在通信设备或数据传输系统中，IRF7101PBF可用作信号切换元件，实现高速信号的隔离与传递。 - 其低电容设计有助于减少信号延迟和失真。 6. 消费电子产品 - 广泛应用于智能手机、平板电脑、游戏机等消费类电子产品中，负责音频放大器的供电或背光驱动。 - 由于其高集成度和可靠性，适合对体积和性能要求较高的产品。 总结 IRF7101PBF凭借其出色的电气特性和稳定性，广泛应用于电源管理、电机驱动、负载切换、电池保护等领域。其高性能表现和紧凑封装形式使其成为现代电子设备的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 3.5A 8-SOICMOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 100mOhms 10nC |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.5 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7101PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7101PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 10 nC |
| Qg-栅极电荷 | 10 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 150 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 150 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V to 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V to 3 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 320pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 1.8A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 150 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 10 nC |
| 标准包装 | 95 |
| 正向跨导-最小值 | 1.1 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 3.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.5A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | 12 V |
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