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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLLD4901NFTWG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLLD4901NFTWG价格参考¥3.29-¥8.71。ON SemiconductorNTLLD4901NFTWG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTLLD4901NFTWG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTLLD4901NFTWG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTLLD4901NFTWG 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双N沟道MOSFET阵列器件,常用于需要高效、低电压控制的场合。该器件采用TDFN封装,具有较小的封装尺寸和良好的热性能,适用于空间受限和高密度电路设计。 其主要应用场景包括: 1. 负载开关:用于电源管理系统中控制电源通断,如在移动设备、笔记本电脑和服务器中实现对不同模块的供电管理。 2. 马达驱动:适用于小型电机控制,如无人机、机器人或电动工具中的电机驱动电路。 3. 电源转换:用于DC-DC转换器或同步整流电路中,提高转换效率,降低功耗。 4. 电池管理:在电池充放电保护电路中作为开关元件,常见于锂电池保护板或电源管理系统中。 5. 工业控制:用于PLC、传感器模块、继电器替代等工业自动化控制电路中,实现高速、低功耗的信号控制。 该器件具备低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和良好的热稳定性,适合低电压(如5V、12V)系统中使用,满足高效率和小型化设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 9A WDFN8MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 8.3 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTLLD4901NFTWG- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTLLD4901NFTWG |
| Pd-PowerDissipation | 3.23 W |
| Pd-功率耗散 | 3.23 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 17.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 17.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 605pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 17.4 毫欧 @ 9A, 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | * |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | * |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | * |
| 封装/箱体 | WDFN-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.5A, 6.3A |
| 系列 | NTLLD4901NF |