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FQT5P10TF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQT5P10TF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQT5P10TF价格参考。Fairchild SemiconductorFQT5P10TF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, P-Channel 100V 1A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-223-4。您可以下载FQT5P10TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQT5P10TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FQT5P10TF是一款P沟道增强型MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),常用于低电压、中等功率的开关应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于电池供电设备中的电源开关,如便携式电子产品(智能手机、平板电脑、移动电源等),可实现高效的电源通断控制,降低静态功耗。 2. 负载开关:常用于控制电路中某个模块的供电,例如在系统中开启或关闭显示屏、传感器或外设模块,防止电流倒灌,提升系统稳定性。 3. 逆向电池保护:由于是P沟道MOSFET,适合用于防止电池反接造成的损坏,在电源输入端作为保护器件使用,广泛应用于消费类电子和工业控制设备。 4. DC-DC转换电路:在同步整流或电压调节电路中作为开关元件,配合控制器实现高效的直流电压变换。 5. 电机驱动与继电器驱动:可用于小型直流电机或继电器的控制电路中,实现低功耗驱动和快速开关。 FQT5P10TF具有低导通电阻(典型值约0.16Ω)、SOT-223封装,散热性能良好,适合高密度PCB布局。其100V的漏源击穿电压使其可在较宽电压范围内稳定工作,适用于工业控制、汽车电子(非关键系统)、家用电器和通信设备等领域。整体而言,该器件以高可靠性、小体积和高效能,广泛应用于需要节能与紧凑设计的现代电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223MOSFET -100V Single |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 1 A |
| Id-连续漏极电流 | - 1 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQT5P10TFQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQT5P10TF |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.05 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.05 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 70 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.05 欧姆 @ 500mA,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223-3 |
| 其它名称 | FQT5P10TFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 188 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 1.4 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1A (Tc) |
| 系列 | FQT5P10 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQT5P10TF_NL |