Datasheet下载- 型号： IPP09N03LA
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP09N03LA由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP09N03LA价格参考。InfineonIPP09N03LA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPP09N03LA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPP09N03LA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的IPP09N03LA是一款N沟道MOSFET晶体管，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：IPP09N03LA可用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC转换器中，提供高效的功率转换和稳定的电压输出。 2. 电机控制：在电机驱动应用中，这款MOSFET可以用于控制电机的速度和方向，适用于家用电器、工业设备和电动工具中的小型电机驱动。 3. 负载切换：在需要快速、高效地切换负载电流的应用中，如汽车电子系统或消费电子产品，IPP09N03LA能够实现低损耗的负载切换。 4. 电池管理系统（BMS）：在电池保护电路中，该MOSFET可以用作电池充放电路径的开关，确保电池的安全运行和延长使用寿命。 5. 信号放大与缓冲：IPP09N03LA也可用于信号放大和缓冲电路中，特别是在需要低功耗和高效率的场合。 6. 逆变器和变频器：在太阳能逆变器和变频器等应用中，这款MOSFET能够实现高效的电力转换和调制，支持可再生能源系统的运行。 IPP09N03LA凭借其低导通电阻（典型值为1.8mΩ@Vgs=10V）和出色的热性能，能够在高频率和高电流条件下保持较低的功率损耗，适合各种中小功率应用。同时，其紧凑的封装形式（如TO-Leadless封装）有助于节省PCB空间，满足现代电子产品的设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 50A TO-220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP09N03LA_Rev1.91_G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42a97af43b0 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPP09N03LA |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 库存产品核实请求 / 库存产品核实请求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 20µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1642pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.2 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | IPP09N03LAIN |
| 功率-最大值 | 63W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
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