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  • 型号: BCP56-16,135
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BCP56-16,135由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BCP56-16,135价格参考¥0.36-¥0.38。NXP SemiconductorsBCP56-16,135封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 80V 1A 180MHz 960mW 表面贴装 SOT-223。您可以下载BCP56-16,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BCP56-16,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 的 BCP56-16,135 是一款通用型 PNP 双极结型晶体管(BJT),广泛应用于中小功率的模拟与数字电路中。该器件采用 SOT23 封装,具有体积小、可靠性高和开关性能优良的特点,适合在消费电子、工业控制和通信设备中使用。

典型应用场景包括信号放大、开关控制、电平转换和驱动小型负载(如LED、继电器或电机)。由于其最大集电极电流可达1 A,且具备良好的电流增益特性,BCP56-16,135 常用于电源管理电路中的线性稳压器或作为达林顿对的一部分,提升驱动能力。此外,它也适用于音频放大电路中的前置放大级或低频信号处理模块。

该晶体管具备较高的击穿电压(VCEO = -64 V),可在较宽的电压范围内稳定工作,适合在电源电压波动较大的环境中使用。同时,其快速开关响应能力使其在脉冲电路和数字逻辑接口中表现出色。

由于采用符合 RoHS 标准的无铅封装,BCP56-16,135 适用于注重环保的现代电子产品制造。其高可靠性和稳定性也使其在汽车电子辅助系统(如车灯控制、传感器接口)中得到应用。

总之,BCP56-16,135 是一款性能均衡、用途广泛的 PNP 晶体管,适用于需要中等功率处理能力的多种电子系统,尤其适合空间受限但要求稳定工作的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT223两极晶体管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BCP56-16,135-

数据手册

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产品型号

BCP56-16,135

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

500mV @ 50mA,500mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 150mA,2V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SC-73

其它名称

933917260135
BCP56-16 /T3
BCP56-16 /T3-ND

功率-最大值

960mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

180 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SOT-223

工厂包装数量

4000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

960 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

1 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

4,000

电压-集射极击穿(最大值)

80V

电流-集电极(Ic)(最大值)

1A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

100 at 150 mA at 2 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

100 at 150 mA at 2 V

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

80 V

集电极—基极电压VCBO

100 V

零件号别名

/T3 BCP56-16

频率-跃迁

180MHz

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