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  • 型号: MMBF4393LT3G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBF4393LT3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBF4393LT3G价格参考。ON SemiconductorMMBF4393LT3G封装/规格:晶体管 - JFET, JFET N-Channel 30V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBF4393LT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBF4393LT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor(安森美)的MMBF4393LT3G是一款N沟道结型场效应晶体管(JFET),属于小型表面贴装器件,广泛应用于低噪声、高输入阻抗和模拟信号处理场景。该器件采用SOT-23封装,适合空间受限的便携式电子设备。

主要应用场景包括:  
1. 低噪声放大器:由于JFET具有较低的噪声系数,MMBF4393LT3G常用于音频前置放大器、传感器信号调理电路和精密测量设备中,提升信噪比。  
2. 模拟开关与调制电路:其电压控制特性适用于模拟信号切换、增益控制及调制解调电路,常见于通信系统和信号路由设计。  
3. 高输入阻抗缓冲器:在数据采集系统或仪器仪表中,作为电压跟随器使用,有效隔离前后级电路,减少信号负载影响。  
4. 便携式电子设备:得益于小封装和低功耗特性,广泛用于智能手机、可穿戴设备、医疗监测设备等对尺寸和能效要求高的产品。  

此外,该器件具备良好的温度稳定性和可靠性,适用于工业控制、汽车电子中的传感器接口电路。其“G”后缀表示符合RoHS环保标准,适合现代绿色电子产品设计。总体而言,MMBF4393LT3G是一款高性能模拟信号处理元件,适用于需要高精度、低噪声和紧凑设计的各类电子系统。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

JFET N-CH 30V 225MW SOT23

产品分类

JFET(结点场效应

FET类型

N 沟道

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

MMBF4393LT3G

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的电压-截止(VGS关)

500mV @ 10nA

不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)

5mA @ 15V

不同Vds时的输入电容(Ciss)

14pF @ 15V

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

功率-最大值

225mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

标准包装

10,000

漏极电流(Id)-最大值

-

漏源极电压(Vdss)

30V

电压-击穿(V(BR)GSS)

30V

电阻-RDS(开)

100 欧姆

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