ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - JFET > MMBF4393LT3G
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBF4393LT3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBF4393LT3G价格参考。ON SemiconductorMMBF4393LT3G封装/规格:晶体管 - JFET, JFET N-Channel 30V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBF4393LT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBF4393LT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的MMBF4393LT3G是一款N沟道结型场效应晶体管(JFET),属于小型表面贴装器件,广泛应用于低噪声、高输入阻抗和模拟信号处理场景。该器件采用SOT-23封装,适合空间受限的便携式电子设备。 主要应用场景包括: 1. 低噪声放大器:由于JFET具有较低的噪声系数,MMBF4393LT3G常用于音频前置放大器、传感器信号调理电路和精密测量设备中,提升信噪比。 2. 模拟开关与调制电路:其电压控制特性适用于模拟信号切换、增益控制及调制解调电路,常见于通信系统和信号路由设计。 3. 高输入阻抗缓冲器:在数据采集系统或仪器仪表中,作为电压跟随器使用,有效隔离前后级电路,减少信号负载影响。 4. 便携式电子设备:得益于小封装和低功耗特性,广泛用于智能手机、可穿戴设备、医疗监测设备等对尺寸和能效要求高的产品。 此外,该器件具备良好的温度稳定性和可靠性,适用于工业控制、汽车电子中的传感器接口电路。其“G”后缀表示符合RoHS环保标准,适合现代绿色电子产品设计。总体而言,MMBF4393LT3G是一款高性能模拟信号处理元件,适用于需要高精度、低噪声和紧凑设计的各类电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 30V 225MW SOT23 |
| 产品分类 | JFET(结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBF4393LT3G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止(VGS关) | 500mV @ 10nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 5mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14pF @ 15V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 30V |
| 电阻-RDS(开) | 100 欧姆 |