Datasheet下载- 型号： FDS3612
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS3612由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS3612价格参考。Fairchild SemiconductorFDS3612封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDS3612参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS3612 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS3612是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款P沟道增强型MOSFET，常用于电源管理和负载开关等应用。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式电子设备中的DC-DC转换器和电源开关，实现高效能与低功耗。 2. 负载开关：作为高边或低边开关使用，控制电源对负载的供给，常见于电池供电系统中以延长电池寿命。 3. 电机驱动：在小型电机或风扇控制电路中用作开关元件，具备快速开关能力和良好的热稳定性。 4. 工业控制：用于工业自动化设备中的信号切换与功率控制，如PLC模块、传感器供电控制等。 5. 汽车电子：应用于车载电源系统、LED照明控制及辅助设备的电源管理，满足车规级可靠性要求。 该器件具有低导通电阻、小封装体积和良好的热性能，适合高频开关和空间受限的设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDS3612 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 632pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 120 毫欧 @ 3.4A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.4A （Ta） |
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