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产品简介:
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DMN66D0LW-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 通道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括: 1. 便携式电子设备: DMN66D0LW-7 的低导通电阻(Rds(on))和小封装尺寸(如 WDFN 封装)使其非常适合用于便携式设备中的负载开关、电池管理以及电源管理电路。例如手机、平板电脑、可穿戴设备等。 2. 电源管理: 该器件适用于 DC-DC 转换器、降压或升压转换器中的开关元件。它的低导通电阻可以减少功率损耗,提高效率,适合在各种电源适配器和充电器中使用。 3. 电机驱动: 在小型电机控制应用中,DMN66D0LW-7 可用作驱动电路的开关元件,例如风扇、玩具电机或微型泵等低功率电机控制。 4. 信号切换: 它可用于音频信号切换、传感器信号切换或其他需要低导通电阻和快速开关速度的应用场景。 5. 保护电路: DMN66D0LW-7 可以用作过流保护、短路保护或反向电压保护的开关元件,确保系统在异常情况下能够安全运行。 6. 汽车电子: 在汽车电子领域,该器件可用于信息娱乐系统、车内照明控制或辅助驾驶系统的电源管理部分,满足对小型化和高效能的需求。 总结来说,DMN66D0LW-7 凭借其出色的性能参数(如低 Rds(on)、高工作频率和小封装),广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域,特别适合需要高效能和紧凑设计的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Diodes Incorporated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | DMN66D0LW-7 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 23pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6 欧姆 @ 115mA,5V |
供应商器件封装 | SOT-323 |
其它名称 | DMN66D0LW-7DI |
功率-最大值 | 200mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 115mA (Ta) |